公开(公告)号：CN114496725A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111468703.3

申请日：2021-12-03

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 王俊 ,  肖春阳 ,  李家琛 ,  王海静 ,  贾艳星 ,  黄永清 ,  任晓敏

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明提供一种无偏角Si(001)衬底InP材料的金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法，A)将无偏角Si(001)衬底清洗后，在氢气环境下进行表面退火处理；B)采用MOCVD方法在退火后的无偏角Si(001)衬底上依次生长GaAs成核层、中温GaAs层和高温GaAs层；C)采用MOCVD方法在所述高温GaAs层上依次生长InP成核层和高温InP层。本发明在氢气环境下进行高温退火，能够使无偏角Si(001)表面的单层原子台阶转换为双层原子台阶，避免后续生长出现的反相畴缺陷。本发明工艺简单且成本较低，能够在CMOS工艺兼容的无偏角Si(001)衬底上实现高质量无反相畴InP外延层的大规模化生产。