一种无偏角Si(001)衬底InP材料的金属有机化学气相沉积方法

    公开(公告)号:CN114496725A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202111468703.3

    申请日:2021-12-03

    Abstract: 本发明提供一种无偏角Si(001)衬底InP材料的金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,A)将无偏角Si(001)衬底清洗后,在氢气环境下进行表面退火处理;B)采用MOCVD方法在退火后的无偏角Si(001)衬底上依次生长GaAs成核层、中温GaAs层和高温GaAs层;C)采用MOCVD方法在所述高温GaAs层上依次生长InP成核层和高温InP层。本发明在氢气环境下进行高温退火,能够使无偏角Si(001)表面的单层原子台阶转换为双层原子台阶,避免后续生长出现的反相畴缺陷。本发明工艺简单且成本较低,能够在CMOS工艺兼容的无偏角Si(001)衬底上实现高质量无反相畴InP外延层的大规模化生产。

    一种亲属关系识别方法及系统

    公开(公告)号:CN109784144A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201811442627.7

    申请日:2018-11-29

    Abstract: 本发明公开了一种亲属关系识别方法及系统。该方法包括:首先,基于人脸视频,构建用于描述父母和孩子关系的人脸视频数据库,并对人脸视频数据库中的视频进行预处理,及人脸检测、人脸归一化处理后,得到输入人脸图像;然后,建立卷积神经网络模型,以输入人脸图像作为输入,训练卷积神经网络模型;最后,通过训练后的卷积神经网络模型进行特征识别,输出是否具有亲属关系的判别结果。该系统包括人脸视频数据库构建模块、输入人脸图像获取模块、卷积神经网络模型训练模块和亲属关系判别模块。本发明能够在不采用DNA数据的前提下通过人脸识别实现人物亲属关系的识别。

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