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公开(公告)号：CN113862770A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111140314.8
申请日：2021-09-28
申请人： 北京航空航天大学杭州创新研究院
摘要： 本发明公开了一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法及其图案化电极，其方法过程为：在表面绝缘基底上溅射导电种子层；在溅射完导电种子层电镀上金属膜；在金属膜表面旋涂光刻胶，采用光刻法在金属膜表面光刻出电极图案；采用退镀法进行处理，使得没有被光刻胶保护的金属膜和导电种子层被反应溶解，有光刻胶的部分被保留下来；退镀后进行超声清洗，去除光刻胶和金属碎屑残留物，得到图案化电极。本发明省去了湿法刻蚀环节，从而避免了湿法刻蚀所带来的种种问题。
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公开(公告)号：CN112768596A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110160798.6
申请日：2021-02-05
申请人： 北京航空航天大学杭州创新研究院
摘要： 本发明公开了一种高集成度热电薄膜器件制备方法，属于热电薄膜材料与器件技术领域。本发明通过飞秒激光加工下电极掩模板、P型热电臂掩模板、N型热电臂掩模板和上电极掩模板；将下电极掩模板与器件基底贴合；采用磁控溅射方法在器件基底表面沉积出图案化的下电极；将P型热电臂掩模板与器件进行对准；采用磁控溅射方法沉积出P型热电臂；将N型热电臂掩模板与器件进行对准；采用磁控溅射方法沉积出N型热电臂；通过无掩模光刻的方法制备出绝缘层；将上电极掩模板与器件进行对准；采用磁控溅射或喷涂方法沉积出上电极，得到高集成度热电薄膜器件，单个热电臂的尺寸范围为150～300μm。本发明具有成本低、制备过程便捷快速的优点。
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公开(公告)号：CN113862770B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202111140314.8
申请日：2021-09-28
申请人： 北京航空航天大学杭州创新研究院
摘要： 本发明公开了一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法及其图案化电极，其方法过程为：在表面绝缘基底上溅射导电种子层；在溅射完导电种子层电镀上金属膜；在金属膜表面旋涂光刻胶，采用光刻法在金属膜表面光刻出电极图案；采用退镀法进行处理，使得没有被光刻胶保护的金属膜和导电种子层被反应溶解，有光刻胶的部分被保留下来；退镀后进行超声清洗，去除光刻胶和金属碎屑残留物，得到图案化电极。本发明省去了湿法刻蚀环节，从而避免了湿法刻蚀所带来的种种问题。
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公开(公告)号：CN112768596B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110160798.6
申请日：2021-02-05
申请人： 北京航空航天大学杭州创新研究院
摘要： 本发明公开了一种高集成度热电薄膜器件制备方法，属于热电薄膜材料与器件技术领域。本发明通过飞秒激光加工下电极掩模板、P型热电臂掩模板、N型热电臂掩模板和上电极掩模板；将下电极掩模板与器件基底贴合；采用磁控溅射方法在器件基底表面沉积出图案化的下电极；将P型热电臂掩模板与器件进行对准；采用磁控溅射方法沉积出P型热电臂；将N型热电臂掩模板与器件进行对准；采用磁控溅射方法沉积出N型热电臂；通过无掩模光刻的方法制备出绝缘层；将上电极掩模板与器件进行对准；采用磁控溅射或喷涂方法沉积出上电极，得到高集成度热电薄膜器件，单个热电臂的尺寸范围为150～300μm。本发明具有成本低、制备过程便捷快速的优点。
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