一种碳化硅表面改性方法

    公开(公告)号:CN110551979A

    公开(公告)日:2019-12-10

    申请号:CN201910896598.X

    申请日:2019-09-23

    Abstract: 本发明一种碳化硅表面改性方法,采用PVD(物理气相沉积)改性,先将基片清洗干净,检测改性前粗糙度,后放入整洁的镀膜机内,同时,在镀膜机相应位置放入膜料镍(Ni)、硅(Si);提高镀膜机真空室内的真空度,达到改性标准后,先镀制膜料镍(Ni)、在镀制膜料硅(Si),改性完成后检测粗糙度。相比较于传统PVD(物理气相沉积)改性方法,本方法可以直接降低基片表面粗糙度,省去改性后光学研抛过程,节省了光学研抛过程中耗费的人力、物力、财力,规避了相应的风险。

    一种碳化硅表面改性方法

    公开(公告)号:CN110551979B

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN201910896598.X

    申请日:2019-09-23

    Abstract: 本发明一种碳化硅表面改性方法,采用PVD(物理气相沉积)改性,先将基片清洗干净,检测改性前粗糙度,后放入整洁的镀膜机内,同时,在镀膜机相应位置放入膜料镍(Ni)、硅(Si);提高镀膜机真空室内的真空度,达到改性标准后,先镀制膜料镍(Ni)、在镀制膜料硅(Si),改性完成后检测粗糙度。相比较于传统PVD(物理气相沉积)改性方法,本方法可以直接降低基片表面粗糙度,省去改性后光学研抛过程,节省了光学研抛过程中耗费的人力、物力、财力,规避了相应的风险。

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