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公开(公告)号：CN102000895A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010298801.2
申请日：2010-09-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: B23K1/005 , B23K1/20 , B23K103/18
Abstract: 本发明提供了一种钨/低活化钢的真空电子束钎焊连接方法，属于金属材料领域。具体是以成分为Ti：30-50％，Zr：30-50％，Cu：10-15％，Ni：5-10％(wt％)的非晶态Ti基箔带为钎料，采用真空电子束钎焊技术进行钨与低活化钢的钎焊连接。施焊时从钨的表面进行电子束面扫描加热，温度控制在800-1200℃，腔室内工作真空度1.0-5.0×10-3Pa，加速电压100-150KV，聚焦电流100-600mA，电子束流1-10mA，扫描频率为0.1-1KHz，采用计算机控制高频扫描线圈，加热时间为1-5分钟。本发明方法可以使钨与低活化钢在短时间内实现连接，效率高，焊缝界面结合完好，没有孔隙、夹杂、裂纹等缺陷。可广泛应用于磁约束核聚变实验装置中氦冷偏滤器部件的连接。
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公开(公告)号：CN102260869A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110201469.8
申请日：2011-07-18
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C24/04
Abstract: 本发明提供了一种采用冷气动力喷涂技术制备钨涂层的方法，属于金属表面工程。具体是以细钨粉为原料，采用冷气动力喷涂技术在铜合金或不锈钢基体上制备钨涂层。在冷气动力喷涂制备钨涂层时，钨粉粒度在0.4-10μm，载气和加速气体可以采用氮气或氦气，喷涂距离在10-50毫米。当采用氮气作为加速气体和载气时，冷气动力喷涂的温度控制在500℃-800℃，气流压力在20bar-50bar，送粉量在10-50g/min。当采用氦气作为加速气体和载气时，冷气动力喷涂的温度控制在200℃-500℃，气流压力在10bar-30bar,送粉量在10-20g/min。本发明的优点是可以在铜合金和不锈钢上制备钨涂层，制备的涂层致密，无氧化现象存在，涂层界面结合完好，没有孔隙、裂纹等缺陷，可制备小于10微米的钨涂层。
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公开(公告)号：CN101818318A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010168852.3
申请日：2010-05-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明是一种大气等离子体喷涂法制备细晶钨、钼涂层的方法，是通过对超细钨粉及钼粉进行造粒处理，喷涂过程中布置保护气幕，采用大气等离子体喷涂技术制备细晶粒钨、钼涂层。其工艺为：选择粒度为30nm至30μm的钨粉、钼粉或平均粒径为15-30μm的羰基钨粉烘干后备用；喷涂基体采用无氧铜、铜合金或不锈钢板。使用大气等离子体喷涂设备进行喷涂，设备功率27kW-40kW之间；采用氩气为喷涂主气；氢气为喷涂辅气。本发明的优点在于：本发明的方法制备得到的细晶粒钨、钼涂层气孔率较低，有较好的力学性能和抗热冲击性，适于机械部件的耐磨表面保护层，耐高温等离子体冲刷部件，如核聚变装置中的第一壁材料等。
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公开(公告)号：CN102260869B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110201469.8
申请日：2011-07-18
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C24/04
Abstract: 本发明提供了一种采用冷气动力喷涂技术制备钨涂层的方法，属于金属表面工程。具体是以细钨粉为原料，采用冷气动力喷涂技术在铜合金或不锈钢基体上制备钨涂层。在冷气动力喷涂制备钨涂层时，钨粉粒度在0.4-10μm，载气和加速气体可以采用氮气或氦气，喷涂距离在10-50毫米。当采用氮气作为加速气体和载气时，冷气动力喷涂的温度控制在500℃-800℃，气流压力在20bar-50bar，送粉量在10-50g/min。当采用氦气作为加速气体和载气时，冷气动力喷涂的温度控制在200℃-500℃，气流压力在10bar-30bar,送粉量在10-20g/min。本发明的优点是可以在铜合金和不锈钢上制备钨涂层，制备的涂层致密，无氧化现象存在，涂层界面结合完好，没有孔隙、裂纹等缺陷，可制备小于10微米的钨涂层。
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公开(公告)号：CN102000895B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201010298801.2
申请日：2010-09-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: B23K1/005 , B23K1/20 , B23K103/18
Abstract: 本发明提供了一种钨/低活化钢的真空电子束钎焊连接方法，属于金属材料领域。具体是以成分为Ti：30-50％，Zr：30-50％，Cu：10-15％，Ni：5-10％(wt％)的非晶态Ti基箔带为钎料，采用真空电子束钎焊技术进行钨与低活化钢的钎焊连接。施焊时从钨的表面进行电子束面扫描加热，温度控制在800-1200℃，腔室内工作真空度1.0-5.0×10-3Pa，加速电压100-150kV，聚焦电流100-600mA，电子束流1-10mA，扫描频率为0.1-1kHz，采用计算机控制高频扫描线圈，加热时间为1-5分钟。本发明方法可以使钨与低活化钢在短时间内实现连接，效率高，焊缝界面结合完好，没有孔隙、夹杂、裂纹等缺陷。可广泛应用于磁约束核聚变实验装置中氦冷偏滤器部件的连接。
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公开(公告)号：CN202297763U
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201120374860.3
申请日：2011-09-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/18
Abstract: 本实用新型涉及一种金属有机化学气相沉积装置。一种金属有机化学气相沉积装置，所述装置包括钟罩（6）、底座（9）、进气口（1）、电加热（12）及温控系统、水冷系统部分，其特征在于：所述装置对进气管（1）保温，安装有气体喷淋头（14）以及独立的温控系统对气体的温度进行实时精确控制。本装置适用于制备各种薄膜，具有以下特点：（1）通过调整混合气体的摩尔比例可以调节薄膜的成份比例；（2）成膜面积大，沉积温度低；（3）薄膜的厚度可调节且厚度均匀；（4）通过气源切换，可沉积复合薄膜或梯度膜；（5）沉积的薄膜纯度高；（6）成本低、效率高，适合工业生产。
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