公开(公告)号：CN102260869B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201110201469.8

申请日：2011-07-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 葛昌纯 ,  郭双全 ,  张小锋

IPC: C23C24/04

Abstract: 本发明提供了一种采用冷气动力喷涂技术制备钨涂层的方法，属于金属表面工程。具体是以细钨粉为原料，采用冷气动力喷涂技术在铜合金或不锈钢基体上制备钨涂层。在冷气动力喷涂制备钨涂层时，钨粉粒度在0.4-10μm，载气和加速气体可以采用氮气或氦气，喷涂距离在10-50毫米。当采用氮气作为加速气体和载气时，冷气动力喷涂的温度控制在500℃-800℃，气流压力在20bar-50bar，送粉量在10-50g/min。当采用氦气作为加速气体和载气时，冷气动力喷涂的温度控制在200℃-500℃，气流压力在10bar-30bar,送粉量在10-20g/min。本发明的优点是可以在铜合金和不锈钢上制备钨涂层，制备的涂层致密，无氧化现象存在，涂层界面结合完好，没有孔隙、裂纹等缺陷，可制备小于10微米的钨涂层。

公开(公告)号：CN102260869A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110201469.8

申请日：2011-07-18

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 葛昌纯 ,  郭双全 ,  张小锋

IPC: C23C24/04

Abstract: 本发明提供了一种采用冷气动力喷涂技术制备钨涂层的方法，属于金属表面工程。具体是以细钨粉为原料，采用冷气动力喷涂技术在铜合金或不锈钢基体上制备钨涂层。在冷气动力喷涂制备钨涂层时，钨粉粒度在0.4-10μm，载气和加速气体可以采用氮气或氦气，喷涂距离在10-50毫米。当采用氮气作为加速气体和载气时，冷气动力喷涂的温度控制在500℃-800℃，气流压力在20bar-50bar，送粉量在10-50g/min。当采用氦气作为加速气体和载气时，冷气动力喷涂的温度控制在200℃-500℃，气流压力在10bar-30bar,送粉量在10-20g/min。本发明的优点是可以在铜合金和不锈钢上制备钨涂层，制备的涂层致密，无氧化现象存在，涂层界面结合完好，没有孔隙、裂纹等缺陷，可制备小于10微米的钨涂层。

公开(公告)号：CN202297763U

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201120374860.3

申请日：2011-09-28

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 葛昌纯 ,  张小锋 ,  郭双全 ,  李玉杰 ,  袁若

IPC: C23C16/18

Abstract: 本实用新型涉及一种金属有机化学气相沉积装置。一种金属有机化学气相沉积装置，所述装置包括钟罩（6）、底座（9）、进气口（1）、电加热（12）及温控系统、水冷系统部分，其特征在于：所述装置对进气管（1）保温，安装有气体喷淋头（14）以及独立的温控系统对气体的温度进行实时精确控制。本装置适用于制备各种薄膜，具有以下特点：（1）通过调整混合气体的摩尔比例可以调节薄膜的成份比例；（2）成膜面积大，沉积温度低；（3）薄膜的厚度可调节且厚度均匀；（4）通过气源切换，可沉积复合薄膜或梯度膜；（5）沉积的薄膜纯度高；（6）成本低、效率高，适合工业生产。