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公开(公告)号：CN102586704B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201210080907.4
申请日：2012-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C47/04 , C22C47/14 , C22C49/00 , C22C101/10 , C22C121/02
Abstract: 本发明属于金属基复合材料研究领域，涉及一种高导热石墨晶须/铜复合材料及其制备方法。复合材料由基体纯铜和已镀覆的增强相高导热石墨晶须两部分组成，其中纯铜的体积分数为40%-70%，镀覆后的石墨晶须的体积分数为30%-60%。复合材料采用生产工艺步骤为：首先采用化学镀或盐浴镀方法，将铜或钼镀覆于石墨晶须的表面，形成1-2μm厚的镀层；然后将镀覆后的石墨晶须与铜粉按30-60:70-40的比例混合均匀，再通过SPS粉末冶金法在820-980℃下烧结制得石墨晶须/铜复合材料。本发明提供了一种用于电子封装领域的石墨晶须/铜复合材料的制备方法，其热导率高、热膨胀系数可控、致密高、易于加工等多项优点满足现代电子封装领域的要求。
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公开(公告)号：CN102586704A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210080907.4
申请日：2012-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C47/04 , C22C47/14 , C22C49/00 , C22C101/10 , C22C121/02
Abstract: 本发明属于金属基复合材料研究领域，涉及一种高导热石墨晶须/铜复合材料及其制备方法。复合材料由基体纯铜和已镀覆的增强相高导热石墨晶须两部分组成，其中纯铜的体积分数为40%-70%，镀覆后的石墨晶须的体积分数为30%-60%。复合材料采用生产工艺步骤为：首先采用化学镀或盐浴镀方法，将铜或钼镀覆于石墨晶须的表面，形成1-2μm厚的镀层；然后将镀覆后的石墨晶须与铜粉按30-60:70-40的比例混合均匀，再通过SPS粉末冶金法在820-980℃下烧结制得石墨晶须/铜复合材料。本发明提供了一种用于电子封装领域的石墨晶须/铜复合材料的制备方法，其热导率高、热膨胀系数可控、致密高、易于加工等多项优点满足现代电子封装领域的要求。
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公开(公告)号：CN101279367A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810113142.3
申请日：2008-05-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备复杂形状和高尺寸精度高铌钛铝合金零部件的方法，属于高铌钛铝金属间化合物材料成形技术领域。工艺是将氩气雾化高铌钛铝粉末与不同质量配比的石蜡PW，低密度聚乙烯LDPE，聚丙烯PP，硬脂酸SA组成的聚合物粘接剂以63～69％的装载量混炼、制粒，注射成形，随后采用溶剂脱脂和真空气氛中热脱脂脱除粘接剂，并在600～1000℃进行预烧结，最后在真空气氛中1460～1480℃进行烧结制得高Nb－TiAl合金零部件。优点在于：可直接制备出具有复杂形状、高尺寸精度和性能优良的高Nb－TiAl合金零部件，实现较低成本高Nb－TiAl合金零部件的批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102628149B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201210080906.X
申请日：2012-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C47/12 , C22C47/04 , C22C49/14 , C22C121/02 , C22C101/10
Abstract: 本发明属于金属基复合材料研究领域，涉及一种高导热石墨晶须增强铜基复合材料及其制备方法。复合材料由基体纯铜和已镀覆的增强相高导热石墨晶须两部分组成，其中纯铜的体积分数为40%-65%，镀覆后的石墨晶须的体积分数为35%-60%。复合材料采用生产工艺步骤为：首先采用化学镀或盐浴镀方法，将铜或钼镀覆于石墨晶须的表面，形成0.5-2μm厚的镀层；将经过金属镀覆处理过石墨晶须添加适量的粘结剂后模压成形，随后采用热脱脂，脱除粘结剂制成多孔预制坯；最后将预制坯和纯铜叠放，放入熔渗炉，进行真空压力熔渗，得到最终的石墨晶须增强铜基复合材料零件。
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公开(公告)号：CN102586703A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210080138.8
申请日：2012-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C47/04 , C22C47/06 , C22C47/08 , C22C49/06 , C22C49/14 , C22C101/10 , C22C121/02
Abstract: 本发明公开一种高导热石墨晶须增强铝基复合材料及其制备方法。复合材料由已镀覆的增强相高导热石墨晶须和基体铝或铝合金两部分组成，其中基体铝或铝合金的体积分数为40%-65%，镀覆后的石墨晶须的体积分数为35%-60%。其生产工艺步骤为：1、采用化学镀或真空盐浴镀的方法，将铜或钛镀覆于石墨晶须的表面，形成0.1-1.5μm厚的镀层；2、将表面改性的石墨晶须添加适量的粘结剂后模压成形，然后采用热脱脂，脱除粘结剂制成多孔预制坯；3、将预制坯和铝或铝合金叠放，进行真空压力熔渗处理，得到最终的石墨晶须-铝复合材料零件。本发明的材料具有热导率高、热膨胀系数低、重量轻、高致密、易于加工等多项优点。
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公开(公告)号：CN100581690C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810113142.3
申请日：2008-05-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备复杂形状和高尺寸精度高铌钛铝合金零部件的方法，属于高铌钛铝金属间化合物材料成形技术领域。工艺是将氩气雾化高铌钛铝粉末与不同质量配比的石蜡PW，低密度聚乙烯LDPE，聚丙烯PP，硬脂酸SA组成的聚合物粘接剂以63～69%的装载量混炼、制粒，注射成形，随后采用溶剂脱脂和真空气氛中热脱脂脱除粘接剂，并在600～1000℃进行预烧结，最后在真空气氛中1460～1480℃进行烧结制得高Nb-TiAl合金零部件。优点在于：可直接制备出具有复杂形状、高尺寸精度和性能优良的高Nb-TiAl合金零部件，实现较低成本高Nb-TiAl合金零部件的批量生产。
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公开(公告)号：CN102586703B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201210080138.8
申请日：2012-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C47/04 , C22C47/06 , C22C47/08 , C22C49/06 , C22C49/14 , C22C101/10 , C22C121/02
Abstract: 本发明公开一种高导热石墨晶须增强铝基复合材料及其制备方法。复合材料由已镀覆的增强相高导热石墨晶须和基体铝或铝合金两部分组成，其中基体铝或铝合金的体积分数为40%-65%，镀覆后的石墨晶须的体积分数为35%-60%。其生产工艺步骤为：1、采用化学镀或真空盐浴镀的方法，将铜或钛镀覆于石墨晶须的表面，形成0.1-1.5μm厚的镀层；2、将表面改性的石墨晶须添加适量的粘结剂后模压成形，然后采用热脱脂，脱除粘结剂制成多孔预制坯；3、将预制坯和铝或铝合金叠放，进行真空压力熔渗处理，得到最终的石墨晶须-铝复合材料零件。本发明的材料具有热导率高、热膨胀系数低、重量轻、高致密、易于加工等多项优点。
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公开(公告)号：CN102628149A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210080906.X
申请日：2012-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C47/12 , C22C47/04 , C22C49/14 , C22C121/02 , C22C101/10
Abstract: 本发明属于金属基复合材料研究领域，涉及一种高导热石墨晶须增强铜基复合材料及其制备方法。复合材料由基体纯铜和已镀覆的增强相高导热石墨晶须两部分组成，其中纯铜的体积分数为40%-65%，镀覆后的石墨晶须的体积分数为35%-60%。复合材料采用生产工艺步骤为：首先采用化学镀或盐浴镀方法，将铜或钼镀覆于石墨晶须的表面，形成0.5-2μm厚的镀层；将经过金属镀覆处理过石墨晶须添加适量的粘结剂后模压成形，随后采用热脱脂，脱除粘结剂制成多孔预制坯；最后将预制坯和纯铜叠放，放入熔渗炉，进行真空压力熔渗，得到最终的石墨晶须增强铜基复合材料零件。
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