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公开(公告)号：CN102320822A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110235491.4
申请日：2011-08-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种用Sol-Gel合成的钙硼硅系发黄光的低温共烧陶瓷材料及其制备方法，其中掺杂的激活剂为Ce3+、Tb3+的一种或两种。该材料的各组分的摩尔百分比为15～20%的CaO、60～70%的SiO2、10～25%的B2O3、1～9%的激活剂离子和1～9%的电荷补偿剂离子。本发明具有以下优点：发光强度好，在460nm～490nm波长的蓝光激发下可以发出541nm左右的黄光。该材料制成的LTCC基板可在发光芯片的激发下发光，预计可应用在LED灯的制作中，可简化制作工艺。故可应用于白光LED、LTCC基板材料、微电子封装材料领域。烧结温度低且范围宽，烧结收缩率可控。介电常数在3～7（1MHz）之间可调，介电损耗在0.002以下。机械强度高，热性能良好。
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公开(公告)号：CN102390982B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110232757.X
申请日：2011-08-15
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种发白光的低温共烧陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料各组分的摩尔比百分比为：CaO10-20%，B2O320-30%,SiO2：50-60%,光激活剂离子1-9%。本发明还涉及上述材料的制备方法，即溶胶凝胶法制备一种发白光的低温共烧陶瓷材料。本发明具有以下优点：1.制备工艺简单先进，采用Sol-gel法，烧结温度低，在800-900℃之间，该温度下烧结收缩率在13-17%之间可控，玻璃陶瓷材料表面平整光滑，强度较高；2.介电常数在4-6（1MHz）之间可调，介质损耗系数在0.002以下；3.发光强度高，在320nm～410nm波长的紫外光激发下可以发出黄光和蓝光，蓝光和黄光混合得到的白光可用于照明及显示；4.基于上述优点，本发明可以应用于白光LED灯、可集成化的陶瓷基板等电子器件及半导体和微电子封装材料领域。
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公开(公告)号：CN102320822B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201110235491.4
申请日：2011-08-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种用Sol-Gel合成的钙硼硅系发黄光的低温共烧陶瓷材料及其制备方法，其中掺杂的激活剂为Ce3+、Tb3+的一种或两种。该材料的各组分的摩尔百分比为15～20%的CaO、60～70%的SiO2、10～25%的B2O3、1～9%的激活剂离子和1～9%的电荷补偿剂离子。本发明具有以下优点：发光强度好，在460nm～490nm波长的蓝光激发下可以发出541nm左右的黄光。该材料制成的LTCC基板可在发光芯片的激发下发光，预计可应用在LED灯的制作中，可简化制作工艺。故可应用于白光LED、LTCC基板材料、微电子封装材料领域。烧结温度低且范围宽，烧结收缩率可控。介电常数在3～7（1MHz）之间可调，介电损耗在0.002以下。机械强度高，热性能良好。
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公开(公告)号：CN102390982A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110232757.X
申请日：2011-08-15
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 本发明一种发白光的低温共烧陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料各组分的摩尔比百分比为：CaO：10-20%，B2O320-30%，SiO250-60%,光激活剂离子：1-9%。本发明还涉及上述材料的制备方法，即溶胶凝胶法制备一种发白光的低温共烧陶瓷材料。本发明具有以下优点：1.制备工艺简单先进，采用Sol-gel法，烧结温度低，在800-900℃之间，该温度下烧结收缩率在13-17%之间可控，玻璃陶瓷材料表面平整光滑，强度较高；2.介电常数在4-6（1MHz）之间可调，介质损耗系数在0.002以下；3.发光强度高，在320nm～410nm波长的紫外光激发下可以发出黄光和蓝光，蓝光和黄光混合得到的白光可用于照明及显示；4.基于上述优点，本发明可以应用于白光LED灯、可集成化的陶瓷基板等电子器件及半导体和微电子封装材料领域。
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