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公开(公告)号：CN116970923B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202310975885.6
申请日：2023-08-04
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学长三角研究院(嘉兴)
Abstract: 本发明涉及一种拓扑半金属纳米结构TaAs纳米线及其制备方法，属于纳米材料技术领域。按照TaCl5:As的质量比为1:1.5~3称取原料TaCl5和As，并间隔放置于样品舟中；将样品舟和镀金硅片放置于玻璃管中；将玻璃管放置于干燥的石英管中，密封，并通入氩气和氢气调节气压，然后将石英管放置于管式炉中，首先自室温升温至940~960℃，保温10~30min，然后降温至700±5℃，自然冷却，在石英管中得到所述TaAs纳米线。利用化学气相沉积方法将不可解理的Weyl半金属TaAs直接生长在硅片上，实现TaAs纳米线的合成。
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公开(公告)号：CN116970923A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310975885.6
申请日：2023-08-04
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学长三角研究院(嘉兴)
Abstract: 本发明涉及一种拓扑半金属纳米结构TaAs纳米线及其制备方法，属于纳米材料技术领域。按照TaCl5:As的质量比为1:1.5~3称取原料TaCl5和As，并间隔放置于样品舟中；将样品舟和镀金硅片放置于玻璃管中；将玻璃管放置于干燥的石英管中，密封，并通入氩气和氢气调节气压，然后将石英管放置于管式炉中，首先自室温升温至940~960℃，保温10~30min，然后降温至700±5℃，自然冷却，在石英管中得到所述TaAs纳米线。利用化学气相沉积方法将不可解理的Weyl半金属TaAs直接生长在硅片上，实现TaAs纳米线的合成。
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公开(公告)号：CN117210935A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311210127.1
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京理工大学长三角研究院(嘉兴) , 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种拓扑半金属材料SrIn2As2片状单晶及其制备方法，属于单晶材料技术领域。通过将Sr、In和As真空密封在石英管中，将真空密封后的石英管置于高温炉中，自室温升温到900~1100℃，恒温保持5h以上，随后以0.5~4℃/h的速度降温到600~700℃，随即打开高温炉将石英管倒置放入离心机中，将多余助熔剂In与材料分离；取出晶体，得到一种拓扑半金属材料SrIn2As2片状单晶。所制备的SrIn2As2单晶成分均匀、纯度较高。
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公开(公告)号：CN117187956A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311039663.X
申请日：2023-08-17
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学长三角研究院(嘉兴) , 晶工新材料(扬中)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种大带隙拓扑绝缘体材料Bi4Br4纳米结构及其制备方法，属于晶体材料技术领域。所述纳米结构采用物理气相输运法制备得到的，所述方法以Bi4Br4单晶为原料，通过对原料端在320~400℃真空加热并恒温保持30~90min，直接在表面镀有Au膜的硅片衬底上制备出二维态的高质量纳米结构的Bi4Br4。所述Bi4Br4纳米结构成相均匀、杂质含量少。
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公开(公告)号：CN117166061A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310975814.6
申请日：2023-08-04
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学长三角研究院(嘉兴)
Abstract: 本发明涉及一种具有超高电子迁移率的体绝缘拓扑绝缘体单晶及其制备方法，属于单晶材料技术领域。所述单晶的化学通式为SnxBi1‑xSbTeSe2，其中，0.01≤x≤0.05。采用两步法制备拓扑绝缘体单晶，先采用熔融法获得SnxBi1‑xSbTeSe2前驱体，再利用垂直布里奇曼法制备单晶。微量的Sn掺杂可以极大的降低体系中的BiTe反位缺陷，采用微量Sn替换BiSbTeSe2材料中的Bi位，可降低体态的载流子浓度，显著提高单晶材料表面态电子迁移率和体绝缘特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114740073A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210337696.1
申请日：2022-03-31
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学长三角研究院(嘉兴)
IPC: G01N27/416 , G01N27/30 , G01N27/327 , C23C14/18 , C23C14/35
Abstract: 本发明涉及一种多肽生物传感器的分子识别部分、其制备和应用，属于生物传感器技术领域。所述分子识别部分由机械剥离蓝膜、Bi2Se3层、金纳米颗粒层和半胱氨酸修饰的多肽组成；所述Bi2Se3层粘贴在机械剥离蓝膜上，在Bi2Se3层的表面镀有金纳米颗粒层，金纳米颗粒层上组装有半胱氨酸修饰的多肽；所述分子识别部分通过离子溅射法在Bi2Se3层上镀上一层金纳米颗粒层，然后将半胱氨酸修饰的多肽与制备好的镀有金纳米颗粒层的Bi2Se3层进行自组装而得到；将所述分子识别部分应用到多肽生物传感器中，采用电化学测试的方法实现对目标物质的检测，检测范围宽，检测极限低，且具有良好的检测灵敏性。
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公开(公告)号：CN117210936A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311209761.3
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京理工大学长三角研究院(嘉兴) , 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种制备层状磁性材料CoBr2单晶的方法，属于单晶材料技术领域。通过将Co粉、BiBr3粉和Bi颗粒真空密封在石英管中，然后置于高温炉中，首先室温升温到450~600℃，恒温保持5h以上，随后以1~6℃/h的速度降温到270~320℃，快速打开高温炉将石英管倒置放入离心机中离心，将多余助熔剂Bi与晶体分离；取出晶体，得到一种层状磁性材料CoBr2单晶。生长出的CoBr2材料是（001）晶面的薄层，成分均匀且纯度较高。
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公开(公告)号：CN116988160A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310975190.8
申请日：2023-08-04
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种反铁磁拓扑半金属材料Eu5In2Bi6单晶及其制备方法，属于单晶材料技术领域。所述单晶为正交相结构，属于Zintl相，晶胞参数为：a=7.735Å,b=23.96Å,c=4.686Å，α=β=γ=90°。采用的是以In为助熔剂的自助熔法制备得到。所述单晶在16K左右发生磁转变，在5K温度下，当施加的磁场达9T时，磁阻可达280%，是反铁磁的大磁阻材料。
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公开(公告)号：CN113311038B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110554208.8
申请日：2021-05-20
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01N27/30 , G01N27/327 , G01N27/48 , G01N27/26 , G01N27/02
Abstract: 本发明涉及一种DNA生物传感器的分子识别部分、其制备和应用，属于拓扑材料和生物传感器领域。所述分子识别部分包括BiSbTeSe2层和金纳米颗粒层，所述BiSbTeSe2层的表面镀有金纳米颗粒层，金纳米颗粒层上组装有作为探针的巯基修饰的单链DNA；所述分子识别部分通过采用离子溅射的方法在BiSbTeSe2层上镀上一层金纳米颗粒层，然后将巯基修饰的单链DNA与制备好的镀有金纳米颗粒层的BiSbTeSe2层进行自组装而得到；将所述分子识别部分用于DNA生物传感器中，采用电化学测试的方法实现对目标DNA的检测，具有检测范围宽，且检测极限低的优点。
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公开(公告)号：CN116856062A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311039562.2
申请日：2023-08-17
Applicant: 北京理工大学 , 晶工新材料(扬中)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种Kagome格子材料Pt2TlTe3单晶及其制备方法，属于单晶材料技术领域。所述单晶结构为：P‑3m1空间群，a=8.069Å，b=8.069Å，c=6.061Å，α=90°，β=90°，γ=120°。Pt2TlTe3单晶表明出典型的金属行为，是一种新型Kagome拓扑绝缘体材料。使用熔融法不会引入其他杂质，使得到的单晶能够拥有本征的性质。
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