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公开(公告)号:CN116856062A
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202311039562.2
申请日:2023-08-17
Applicant: 北京理工大学 , 晶工新材料(扬中)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种Kagome格子材料Pt2TlTe3单晶及其制备方法,属于单晶材料技术领域。所述单晶结构为:P‑3m1空间群,a=8.069Å,b=8.069Å,c=6.061Å,α=90°,β=90°,γ=120°。Pt2TlTe3单晶表明出典型的金属行为,是一种新型Kagome拓扑绝缘体材料。使用熔融法不会引入其他杂质,使得到的单晶能够拥有本征的性质。
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公开(公告)号:CN116837464A
公开(公告)日:2023-10-03
申请号:CN202311039448.X
申请日:2023-08-17
Applicant: 北京理工大学 , 晶工新材料(扬中)有限公司
Abstract: 本发明涉及Kagome材料RMn6Sn6单晶及其制备方法,属于单晶材料技术领域。R为Zr或Hf,其中,ZrMn6Sn6的单晶结构为:P6/mmm空间群,a=5.410Å,b=5.410Å,c=8.982Å,α=90°,β=90°,γ=120°;HfMn6Sn6单晶结构为:P6/mmm空间群,a=5.399Å,b=5.399Å,c=8.973Å,α=90°,β=90°,γ=120°。所述单晶是高温反铁磁材料,相比于传统的铁磁材料构成的磁性隧道结,反铁磁材料因具有近乎为零的杂散磁场、高自旋动力学频率等优点。
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