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公开(公告)号：CN117012681A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311212308.8
申请日：2023-09-19
申请人： 北京海炬电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种激光解胶针刺气动芯片巨量转移机构，涉及半导体光电技术领域，包括上平台移动系统、转移平台系统、下平台移动系统，转移平台系统设置于上平台移动系统上，转移平台系统包括转移滑台、垂直动力模组、针刺夹持支架、激光辅助针刺组件、相机组件、激光器支架和激光发生器，激光辅助针刺组件包括激光部、气动部和微孔针头，激光部开设激光视窗，气动部开设进气孔，微孔针头对准下平台移动系统顶部的蓝膜组件。本发明采用上述结构的一种激光解胶针刺气动芯片巨量转移机构，利用激光发生器大幅度改变小范围蓝膜膜材性能，吹气产生形态良好的气泡，驱动芯片从蓝膜剥落至目标基板，实现高效率和柔性接触的Mini/Micro LED芯片巨量转移。
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公开(公告)号：CN117012681B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311212308.8
申请日：2023-09-19
申请人： 北京海炬电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种激光解胶针刺气动芯片巨量转移机构，涉及半导体光电技术领域，包括上平台移动系统、转移平台系统、下平台移动系统，转移平台系统设置于上平台移动系统上，转移平台系统包括转移滑台、垂直动力模组、针刺夹持支架、激光辅助针刺组件、相机组件、激光器支架和激光发生器，激光辅助针刺组件包括激光部、气动部和微孔针头，激光部开设激光视窗，气动部开设进气孔，微孔针头对准下平台移动系统顶部的蓝膜组件。本发明采用上述结构的一种激光解胶针刺气动芯片巨量转移机构，利用激光发生器大幅度改变小范围蓝膜膜材性能，吹气产生形态良好的气泡，驱动芯片从蓝膜剥落至目标基板，实现高效率和柔性接触的Mini/Micro LED芯片巨量转移。
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公开(公告)号：CN115101635A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210827969.0
申请日：2022-07-12
申请人： 北京石油化工学院 , 北京海炬电子科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种LED芯片激光气动巨量转移原晶膜及其制作方法，主要由微孔网格层、液气双态介质、密封胶层、弹性体层、光敏胶层、背衬层和背衬层卡槽组成。利用液气双态介质易升温且沸点低的特性和微孔网格层限制液气双态介质位置，使用激光照射液气双态介质将其气化产生气泡，实现芯片的巨量转移，并借助超声振动加压，保证液气双态介质填充度。可用于Mini/Micro LED芯片巨量转移，转移作用力平和可控，芯片损伤小，避免了激光烧蚀热化学作用对芯片的损伤，采用微孔网格层限制液气双态介质位置，在提升了转移良率和精度的同时，提高了液气双态介质的填充均匀性和晶膜的重复使用率。
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公开(公告)号：CN117810317A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410008647.2
申请日：2024-01-03
申请人： 北京海炬电子科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/683 , H01L21/687
摘要： 本发明公开了一种音圈电机驱动液压针刺巨量转移机构，涉及巨量转移技术领域，包括移动平台和设置于移动平台上方的针刺滑台、芯片滑台，针刺滑台与芯片滑台相对平行设置，针刺滑台的内侧设置有音圈电机组件、液压针刺组件和相机组件，芯片滑台的内侧设置有蓝膜装载滑台，移动平台的中央设置有基板载具，针刺滑台、芯片滑台、基板载具均与移动平台滑动连接。本发明采用上述结构的一种音圈电机驱动液压针刺巨量转移机构，利用高频音圈电机驱动可调节液压强度的缓冲针头，通过柔性针刺均匀排布芯片至目标焊点，可以实现柔性接触的Mini/Micro LED芯片巨量转移。
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公开(公告)号：CN117334797B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311566452.1
申请日：2023-11-22
申请人： 北京海炬电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种流磁自组装巨量转移装置，包括若干具有导磁性的微型发光二极管、组装腔室、组装基板、磁体阵列，微型发光二极管包括依次堆叠设置的P型电极、导磁材料层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、N型电极；组装腔室包括腔室基底层、混Bin执行层、基板安装层，组装基板包括驱动电路板和异方性导电膜，驱动电路板上设置有若干焊点，磁体阵列包括磁体基板、组装在磁体基板上的电磁运动单元和安装在电磁运动单元上的永磁体。本发明采用上述结构的一种流磁自组装巨量转移装置及方法，借助流场和磁场共同作用快速转移半导体发光芯片，有效提高转移效率及转移精度。
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公开(公告)号：CN117334797A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311566452.1
申请日：2023-11-22
申请人： 北京海炬电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种流磁自组装巨量转移装置，包括若干具有导磁性的微型发光二极管、组装腔室、组装基板、磁体阵列，微型发光二极管包括依次堆叠设置的P型电极、导磁材料层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、N型电极；组装腔室包括腔室基底层、混Bin执行层、基板安装层，组装基板包括驱动电路板和异方性导电膜，驱动电路板上设置有若干焊点，磁体阵列包括磁体基板、组装在磁体基板上的电磁运动单元和安装在电磁运动单元上的永磁体。本发明采用上述结构的一种流磁自组装巨量转移装置及方法，借助流场和磁场共同作用快速转移半导体发光芯片，有效提高转移效率及转移精度。
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公开(公告)号：CN117080106A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311226697.X
申请日：2023-09-21
申请人： 北京海炬电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L33/00 , H01L21/68 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种用于LED芯片巨量转移的实时共位检测装置及使用方法，属于半导体光电技术领域，包括对位系统、转移系统和光学检测系统，对位系统包括平台底座和设置于平台底座上方的纵向过渡底板、横向过渡底板、弓形支座，转移系统包括目标基板、芯片载板组件、激光头底座，光学检测系统包括相机固定器、顶部CCD相机、传感器固定器、对位光纤图像传感器、鼓包光纤图像传感器和板侧检测光纤图像传感器。本发明采用上述结构的一种用于LED芯片巨量转移的实时共位检测装置及使用方法，使激光头、芯片和PCB板焊盘三者垂直共位，借助两台光纤图像传感器实时检测板侧坏点芯片与晶膜鼓包尺寸，通过两台设备的图像检测转移结果，有利于提升芯片转移效率。
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公开(公告)号：CN117080106B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311226697.X
申请日：2023-09-21
申请人： 北京海炬电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L33/00 , H01L21/68 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种用于LED芯片巨量转移的实时共位检测装置及使用方法，属于半导体光电技术领域，包括对位系统、转移系统和光学检测系统，对位系统包括平台底座和设置于平台底座上方的纵向过渡底板、横向过渡底板、弓形支座，转移系统包括目标基板、芯片载板组件、激光头底座，光学检测系统包括相机固定器、顶部CCD相机、传感器固定器、对位光纤图像传感器、鼓包光纤图像传感器和板侧检测光纤图像传感器。本发明采用上述结构的一种用于LED芯片巨量转移的实时共位检测装置及使用方法，使激光头、芯片和PCB板焊盘三者垂直共位，借助两台光纤图像传感器实时检测板侧坏点芯片与晶膜鼓包尺寸，通过两台设备的图像检测转移结果，有利于提升芯片转移效率。
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公开(公告)号：CN117334796A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311564639.8
申请日：2023-11-22
申请人： 北京海炬电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种磁力摆正、流体顺正的巨量转移方法，具体包括：制备微型发光二极管作为Micro LED芯片，以磁性材料制作N型电极，P型电极不做处理；制备具有磁吸附性的驱动电路板，以磁性材料制作N型电极的固定块，P型电极的固定位置不做处理；驱动电路板定位，将驱动电路板、微型磁针和微型发光二极管一同放入流体装置内；芯片下落姿态控制，通过流体装置外的螺线管施加磁场，使电极侧朝向驱动电路板下落；利用磁场使N型电极吸附在固定块上：通过流场冲击使P型电极位置调正。本发明采用上述步骤的一种磁力摆正、流体顺正的巨量转移方法，通过流场和磁场的共同作用实现芯片与驱动电路板的精准定位，提高转移效率和良品率。
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公开(公告)号：CN220821598U
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202322635962.1
申请日：2023-09-27
申请人： 北京海炬电子科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/683 , H02N2/00
摘要： 本实用新型公开了一种压电效应针刺巨量转移装置，包括设置于大理石平台上的压电针刺运动系统、晶膜运动系统和基板运动系统；压电针刺系统包括支撑横梁、针刺滑台运动模块、针刺组件运动模块、针刺组件；晶膜运动系统包括左大理石支座、右大理石支座、载台安装架、晶膜载台和晶膜，晶膜的底面粘接着若干芯片；基板运动系统包括左导轨、右导轨、支撑架电机、基板支撑架、基板固定盘、固定盘电机、基板，基板设置于基板固定盘上。本实用新型采用上述结构的一种压电效应针刺巨量转移装置，利用逆压电效应驱动顶针快速运动，使芯片受到的顶针压力在合理的范围内，借助压电机构实现短距快速启停，高效率、高良率。
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