公开(公告)号：CN109913680A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201711336252.1

申请日：2017-12-13

申请人： 北京有色金属研究总院

发明人： 马书旺 ,  梁秋实 ,  王健 ,  杨剑 ,  杨志民 ,  毛昌辉 ,  甘斌 ,  何震 ,  陈富财

IPC分类号： C22C1/05 ,  C22C21/00 ,  C22C30/00 ,  C22C32/00 ,  G21F1/08 ,  G21F1/10

摘要： 本发明公开了一种中子屏蔽铝基复合材料及其制备方法。该中子屏蔽铝基复合材料采用纯铝作为基体材料，屏蔽组分为金属氢化物和富10B单质或化合物；其中，金属氢化物的质量百分含量为20％～50％；富10B单质或化合物的质量百分含量为10％～20％；余量为铝和不可避免的杂质。其制备方法包括如下步骤：(1)按铝基复合材料的成分配比称取原料粉末；(2)在氩气保护条件下混料；(3)将混合料进行冷等静压成型，得到冷等静压坯锭；(4)将冷等静压坯锭装入铝包套，于300～450℃脱气后进行热等静压成型；(5)去除铝包套，得到铝基复合材料。本发明的中子屏蔽铝基复合材料对0.1MeV以上的快中子具备良好的慢化和屏蔽效果，且具有良好的耐热、耐辐照和结构力学性能。