一种中子屏蔽铝基复合材料及其制备方法
摘要:
本发明公开了一种中子屏蔽铝基复合材料及其制备方法。该中子屏蔽铝基复合材料采用纯铝作为基体材料,屏蔽组分为金属氢化物和富10B单质或化合物;其中,金属氢化物的质量百分含量为20%~50%;富10B单质或化合物的质量百分含量为10%~20%;余量为铝和不可避免的杂质。其制备方法包括如下步骤:(1)按铝基复合材料的成分配比称取原料粉末;(2)在氩气保护条件下混料;(3)将混合料进行冷等静压成型,得到冷等静压坯锭;(4)将冷等静压坯锭装入铝包套,于300~450℃脱气后进行热等静压成型;(5)去除铝包套,得到铝基复合材料。本发明的中子屏蔽铝基复合材料对0.1MeV以上的快中子具备良好的慢化和屏蔽效果,且具有良好的耐热、耐辐照和结构力学性能。
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