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公开(公告)号：CN112574640A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011366880.6
申请日：2020-11-26
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 天津大学
IPC分类号： C09D163/00 , C09D7/61 , B05D7/14
摘要： 本发明涉及高分子材料技术领域，公开了一种导热复合涂料组合物、导热涂层及其制备方法和包含导热涂层的制件及其制备方法。本发明提供的导热复合涂料组合物，包括基材复合物和导热油，其中，所述组合物包括基材复合物和导热油，其中，所述基材复合物包括10‑30重量份的基体树脂、1‑10重量份的碳纳米材料、1‑10重量份的纳米填料和70‑90重量份的溶剂；所述导热油为1‑10重量份。本发明提供的导热复合涂料组合物，具有填料与基体相容性好，制备的导热涂层以及包含导热涂层的制件导热性能好的优势。
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公开(公告)号：CN116404041A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211090728.9
申请日：2022-09-07
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/40 , H01L29/06
摘要： 本发明涉及AlGaN/GaN垂直型超结/半超结绝缘半导体场效应管及制作方法；解决现有的AlGaN/GaN垂直型器件存在较低耐压和较高导通损耗的问题；超结场效应管包括衬底、漏极、在衬底上表面形成两个P型柱区，两个P型柱区之间形成N型漂移区，在P型柱区和N型漂移区上部形成P型阻挡层，在P型阻挡层上形成GaN沟道层和AlGaN势垒层，在AlGaN势垒层上形成源区，源区内设置源极，对N型漂移区、P型阻挡层、GaN沟道层和AlGaN势垒层中部刻蚀形成介质沟槽，在介质沟槽内设置三氧化二铝薄氧化层和SIPOS场板，位于两个SIPOS场板之间的二氧化硅和多晶硅，设置在多晶硅上方的栅极；位于栅极上表面的钝化层；两个源极共接，本发明还提出半超结场效应管以及超结、半超结场效应管的制作方法。
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公开(公告)号：CN113866691A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111460490.X
申请日：2021-12-02
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
摘要： 本发明涉及磁传感器领域，提供一种隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述隧穿磁电阻传感器，自下而上依次包括下电极、反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、隧穿绝缘层、铁磁自由层及上电极，还包括设置于所述上电极与所述铁磁自由层之间的氧化层；所述氧化层在被施加可控强度的电压的条件下，所述氧化层中的氧离子在电场作用下迁移至所述氧化层与所述铁磁自由层的界面处，改变所述铁磁自由层的磁各向异性，使得所述隧穿磁电阻传感器的隧道结动态范围发生变化。本发明利用可调控的电场驱动氧化层中的氧离子运动，从而改变铁磁自由层的磁各向异性，实现对隧穿磁电阻传感器的动态范围的调控，可满足不同应用环境下的需求。
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公开(公告)号：CN113990866A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111622482.0
申请日：2021-12-28
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，所述硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第三区、第二N+区及第二P+区，所述第三区为第三P+区或第三N+区；所述第一N+区和第一P+区均与所述硅控整流器的阳极相连；所述第二N+区和第二P+区均与所述硅控整流器的阴极相连。所述硅控整流器具有更强的泄放电流的能力，大大提升了防护能力。
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公开(公告)号：CN113990866B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111622482.0
申请日：2021-12-28
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，所述硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第三区、第二N+区及第二P+区，所述第三区为第三P+区或第三N+区；所述第一N+区和第一P+区均与所述硅控整流器的阳极相连；所述第二N+区和第二P+区均与所述硅控整流器的阴极相连。所述硅控整流器具有更强的泄放电流的能力，大大提升了防护能力。
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公开(公告)号：CN113866691B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202111460490.X
申请日：2021-12-02
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
摘要： 本发明涉及磁传感器领域，提供一种隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述隧穿磁电阻传感器，自下而上依次包括下电极、反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、隧穿绝缘层、铁磁自由层及上电极，还包括设置于所述上电极与所述铁磁自由层之间的氧化层；所述氧化层在被施加可控强度的电压的条件下，所述氧化层中的氧离子在电场作用下迁移至所述氧化层与所述铁磁自由层的界面处，改变所述铁磁自由层的磁各向异性，使得所述隧穿磁电阻传感器的隧道结动态范围发生变化。本发明利用可调控的电场驱动氧化层中的氧离子运动，从而改变铁磁自由层的磁各向异性，实现对隧穿磁电阻传感器的动态范围的调控，可满足不同应用环境下的需求。
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公开(公告)号：CN118759048A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411255660.4
申请日：2024-09-09
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本申请提供一种可穿戴式全光纤探测手套、无损探测系统、方法及装置，涉及无损探伤技术领域，手套包括：具有若干手指套接部的手套主体、光声信号激励单元及若干光声信号探测单元，光声信号探测单元设置于手指套接部上，光声信号激励单元设置于手套主体掌部区域；光声信号激励单元用于在受到第一激光信号的激发后产生超声导波，以使得产生的超声导波在待检测目标内部传播；光声信号探测单元用于捕获受待检测目标内部损伤影响的、光声信号激励单元产生并传播的超声导波所引起的应力变化，响应于捕获到的应力变化，基于作用于光声信号探测单元的第二激光信号获取对应散射波信号。本申请具有结构简单、穿戴轻便、操作便捷、探测区域灵活等优点。
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公开(公告)号：CN118487762A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410947664.2
申请日：2024-07-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网安徽省电力有限公司庐江县供电公司
摘要： 本公开涉及无线射频识别技术领域，具体涉及一种RFID标签密钥更新方法、装置、系统、RFID标签读写器、电子设备及存储介质。该更新方法包括：上位机根据密钥分散因子的类型获取与待更新的RFID标签对应的密钥分散因子；将该密钥分散因子发送到密码机，以使密码机根据该密钥分散因子和预存的根密钥生成分散密钥，使用预存的保护密钥对该分散密钥进行加密处理生成分散密钥的密文；将该分散密钥的密文发送到RFID标签读写器。由此通过对RFID标签密钥数据进行加密发送的方式，保障了RFID标签密钥数据的安全写入，实现了对RFID标签密钥数据的保护，进而保障了RFID标签中的应用数据不被非法篡改。
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公开(公告)号：CN118960571A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411431708.2
申请日：2024-10-14
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网上海市电力公司
摘要： 本说明书实施方式提供了一种阀厅穿墙套管位移监测方法、装置、设备和存储介质，涉及计算机技术领域。方法包括：获取当前时间的多个当前初始点云，多个当前初始点云是当前时间下采集模块在对应目标扫描区域扫描得到的；根据多个采样分辨率对每个当前初始点云进行降采样，得到每个当前初始点云的多个降采样点云；基于多个当前初始点云各自的多个降采样点云进行配准和拼接，得到当前拼接点云；针对当前拼接点云进行特征点提取得到当前目标点云，当前拼接点云中穿墙套管区域为感兴趣区域；根据当前目标点云和历史时间的历史目标点云，确定穿墙套管的位移偏离信息。如此，可以及时判定阀厅穿墙套管是否发生位移，提高阀厅穿墙套管监测的精度和效率。
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公开(公告)号：CN118689550A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410647781.7
申请日：2024-05-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本说明书实施方式提供了一种应用程序加载方法、装置、计算机设备、芯片和存储介质。应用于嵌入式系统，嵌入式系统配置有第一分区和第二分区；方法包括：在启动系统内核之前，若在第一分区中检测到第一应用程序，对第一应用程序进行度量验签；在检测到第一应用程序度量验签未通过的情况下，确定目标程序识别码；若在第二分区中检测到第二应用程序，基于目标程序识别码在第二分区中确定目标应用程序；在目标应用程序度量验签通过的情况下，将目标应用程序作为第一应用程序更新至第一分区，并顺序加载并运行第一分区中度量验签通过的第一应用程序。如此，可以提高嵌入式系统中应用程序加载的可靠性。
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