一种用于多通道时间测量的环振集成电路

    公开(公告)号:CN107944073B

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN201710948205.6

    申请日:2017-10-12

    Abstract: 本发明公开了一种用于多通道时间测量的环振集成电路,环振单元沿版图坐标系横向分上下两行排列,上一行环振单元的延迟电路位于环振单元的最下方,沿版图坐标系横轴正方向顺序级联连接,下一行环振单元的延迟电路位于环振单元的最上方,沿版图坐标系横轴负方向顺序级联连接,所有环振单元的延迟电路构成一个首尾相接的延迟链,相邻两个环振单元延迟电路之间的信号延迟时间相等,外部输入的被测信号start在环形延迟链中传输,环振单元在采样控制信号的驱动下并行采集该环振单元延迟电路输出端的状态,实现对同一信号的多通道时间测量。这种环振电路可以提高测量结果的线性度、减少测量误差和提高芯片面积利用率。

    一种基于聚类分析的集成电路单粒子效应软错误仿真方法

    公开(公告)号:CN115437893A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202210853718.X

    申请日:2022-07-11

    Abstract: 本发明公开一种基于聚类分析的集成电路单粒子效应软错误仿真方法,步骤包括:应用VPI获取目标集成电路内部结构与资源信息;对获取的集成电路内部单元信息按功能相关性进行聚类,得到一定数量的簇;对每簇内单元进行以20%‑40%比例进行随机抽样,并生成故障节点列表;构建用于故障注入的集成电路单粒子效应软错误数字信号等效模型,以簇为单位对抽样单元进行故障注入,并监测故障注入是否引发芯片软错误;统计抽样单元的软错误概率;将抽样单元故障注入评估得到的软错误概率作为簇软错误概率。基于簇软错误概率实现对芯片整体软错误概率的评估与敏感区域定位。本发明实现了故障注入样本的优化,提升了仿真效率,可用于集成电路单粒子效应敏感性分析。

    一种高精度欠压保护电路
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119651488A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411153072.X

    申请日:2024-08-21

    Abstract: 本发明公开了一种高精度欠压保护电路,包括配置电路和比较电路,配置电路用于捕捉芯片输入与输出电压差值的变化情况,通过设置补偿电流来控制欠压阈值;比较电路用于检测并放大芯片输入与输出电压差值。欠压保护电路通过检测输入电压与输出电压差值,与设置的欠压阈值作比较实现对电路的控制功能,在输入电压与输出电压在正常范围波动时,欠压保护电路输出为低电平;当输入电压与输出电压的差值大于欠压阈值时,认为发生负载过载或输出短接地故障,欠压保护电路输出为高电平,控制电路关断,解决了模拟集成电路在使用的过程中由于欠压造成的电路损坏问题。

    一种用于多通道时间测量的环振集成电路

    公开(公告)号:CN107944073A

    公开(公告)日:2018-04-20

    申请号:CN201710948205.6

    申请日:2017-10-12

    Abstract: 本发明公开了一种用于多通道时间测量的环振集成电路,环振单元沿版图坐标系横向分上下两行排列,上一行环振单元的延迟电路位于环振单元的最下方,沿版图坐标系横轴正方向顺序级联连接,下一行环振单元的延迟电路位于环振单元的最上方,沿版图坐标系横轴负方向顺序级联连接,所有环振单元的延迟电路构成一个首尾相接的延迟链,相邻两个环振单元延迟电路之间的信号延迟时间相等,外部输入的被测信号start在环形延迟链中传输,环振单元在采样控制信号的驱动下并行采集该环振单元延迟电路输出端的状态,实现对同一信号的多通道时间测量。这种环振电路可以提高测量结果的线性度、减少测量误差和提高芯片面积利用率。

    一种低功耗过温保护电路
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119253533A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202411153070.0

    申请日:2024-08-21

    Abstract: 本发明公开了一种低功耗过温保护电路,包括正温度系数电压产生电路和比较器电路。正温度系数电压产生电路部分用于产生与工作环境温度成正比的电压,比较器电路部分用于检测前级电路产生的电压,当电路温度升高,电压超过设定值,比较器电路输出低电平,后级电路关断,实现过温保护功能,当电路温度重新降低,比较器电路输出恢复正常,后级电路正常工作。本发明结构简单,成本低廉,可广泛应用于总线收发器、驱动器、控制器、保护IC等模拟集成电路。

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