公开(公告)号：CN114938223B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202210730665.2

申请日：2022-06-24

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 胡一凡 ,  王勇 ,  王瑛 ,  彭领 ,  孔瀛

IPC: H03K17/687

Abstract: 本发明提供了一种应用于半桥型氮化镓栅极驱动器的自适应死区控制电路，包括高侧死区控制电路和低侧死区控制电路；高侧死区控制电路通过检测母线电压和高侧地之间电压降的变化情况产生开启信号，与高侧输入信号进行逻辑处理后出输给高侧驱动模块；低侧死区控制电路通过检测开关节点和低侧地之间电压降的变化情况产生开启信号，与低侧输入信号进行逻辑处理后出输给低侧驱动模块。本发明根据栅极驱动器于不同负载条件下工作，半桥开关节点处电压上升下降的时间不同来调节高侧控制信号在开关节点电压到达母线电位后再升高，低侧控制信号在开关节点电压到达地低侧电位后再升高，进而调节高侧和低侧功率管的开启时间，在实现零电压开启的基础上尽量减小反向导通时间以达到减小反向导通损耗、提升驱动电路效率的目的。

公开(公告)号：CN114938223A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210730665.2

申请日：2022-06-24

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 胡一凡 ,  王勇 ,  王瑛 ,  彭领 ,  孔瀛

IPC: H03K17/687

Abstract: 本发明提供了一种应用于半桥型氮化镓栅极驱动器的自适应死区控制电路，包括高侧死区控制电路和低侧死区控制电路；高侧死区控制电路通过检测母线电压和高侧地之间电压降的变化情况产生开启信号，与高侧输入信号进行逻辑处理后出输给高侧驱动模块；低侧死区控制电路通过检测开关节点和低侧地之间电压降的变化情况产生开启信号，与低侧输入信号进行逻辑处理后出输给低侧驱动模块。本发明根据栅极驱动器于不同负载条件下工作，半桥开关节点处电压上升下降的时间不同来调节高侧控制信号在开关节点电压到达母线电位后再升高，低侧控制信号在开关节点电压到达地低侧电位后再升高，进而调节高侧和低侧功率管的开启时间，在实现零电压开启的基础上尽量减小反向导通时间以达到减小反向导通损耗、提升驱动电路效率的目的。

公开(公告)号：CN119651488A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411153072.X

申请日：2024-08-21

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 王雷 ,  王瑛 ,  彭领 ,  王煌伟 ,  张翼 ,  孔瀛 ,  宁静怡 ,  胡贵才 ,  胡一凡 ,  张雪梓 ,  贾靳

IPC: H02H3/24 ,  H02H7/20

Abstract: 本发明公开了一种高精度欠压保护电路，包括配置电路和比较电路，配置电路用于捕捉芯片输入与输出电压差值的变化情况，通过设置补偿电流来控制欠压阈值；比较电路用于检测并放大芯片输入与输出电压差值。欠压保护电路通过检测输入电压与输出电压差值，与设置的欠压阈值作比较实现对电路的控制功能，在输入电压与输出电压在正常范围波动时，欠压保护电路输出为低电平；当输入电压与输出电压的差值大于欠压阈值时，认为发生负载过载或输出短接地故障，欠压保护电路输出为高电平，控制电路关断，解决了模拟集成电路在使用的过程中由于欠压造成的电路损坏问题。

公开(公告)号：CN116937946A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310506138.8

申请日：2023-05-06

Applicant: 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 胡一凡 ,  王勇 ,  王瑛 ,  彭领 ,  孔瀛

IPC: H02M1/088 ,  H02M1/32 ,  H02M3/07 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体涉及了一种用于半桥型氮化镓栅极驱动器的高侧供电电路和供电方法，旨在解决现有的供电电路稳定性不足的问题。本发明包括：依次连接的自举钳位稳压电路和HS负偏压能力提升电路；自举钳位稳压电路包括：低压电平位移电路、驱动电路、开关PMOS管、高压自举二极管DBST1和线性稳压器；HS负偏压能力提升电路包括：自举电容CBST、三通道集成自举子电路、高压电平位移电路、RS触发器和高侧输出驱动电路。本发明使高侧电源HB与高侧地HS之间的压差保持为恒定的5V，实现对GaN器件栅极的钳位保护，通过三通道集成电路避免电平位移电路的电源随HS变负而下降，提升电平位移电路的抗HS负偏压能力。