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公开(公告)号：CN113838940A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110954453.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明的实施例公开了一种集成型光电探测器及其制作方法，该探测器包括：衬底以及形成于衬底之上的缓冲层、重掺杂N型欧姆接触层、重掺杂N型半导体、半导体吸光层、重掺杂P型半导体、重掺杂P型欧姆接触层以及P电极。本申请的集成型光电探测器结构工艺简单，易于光子芯片单片集成；通过采用浅台面刻蚀能够降低侧壁漏电，进而降低器件暗电流；通过采用背面挖孔电极结构提高响应度特性和热传导效率，进而提高器件最大功率，具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113838940B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202110954453.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
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公开(公告)号：CN115694660B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202211108028.8
申请日：2022-09-13
Applicant: 北京无线电测量研究所
Abstract: 本发明公开一种T型匹配谐振增强型光电探测器接收网络，所述T型匹配谐振增强型光电探测器接收网络包含探测器芯片、T型谐振匹配网络、偏置电路；T型谐振匹配网络与探测器连接，用于与负载阻抗匹配。本发明所述T型谐振匹配网络与探测器芯片匹配，可实现不同频段的光电探测器接收网络，适用于微波光子接收链路，提高链路增益。
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公开(公告)号：CN115694660A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211108028.8
申请日：2022-09-13
Applicant: 北京无线电测量研究所
Abstract: 本发明公开一种T型匹配谐振增强型光电探测器接收网络，所述T型匹配谐振增强型光电探测器接收网络包含探测器芯片、T型谐振匹配网络、偏置电路；T型谐振匹配网络与探测器连接，用于与负载阻抗匹配。本发明所述T型谐振匹配网络与探测器芯片匹配，可实现不同频段的光电探测器接收网络，适用于微波光子接收链路，提高链路增益。
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公开(公告)号：CN116776825A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202311065454.2
申请日：2023-08-23
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种低噪声放大器芯片的自动优化设计方法和装置，所述方法包括：根据设计指标确定低噪声放大器芯片的电路结构；确定电路结构对应的网表；选择优化算法，运行电路的散射参数和噪声性能的仿真，得到小信号仿真结果；判断小信号仿真结果是否满足设计指标，若不满足设计指标，则修改网表中的元件信息，重复执行小信号仿真，直到满足设计指标；修改网表中的仿真设置，运行电路的功率性能的仿真，得到谐波仿真结果；判断谐波仿真结果是否满足设计指标，若不满足设计指标，则修改网表中的元件信息，重复执行小信号仿真和谐波仿真，直到满足设计指标；根据仿真结果生成电路原理图。本发明能够缩短芯片设计时间、提高芯片设计效率。
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公开(公告)号：CN113517307A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110588409.X
申请日：2021-05-28
Applicant: 北京无线电测量研究所
Inventor： 韩亚茹
IPC: H01L27/144 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种级联型光电探测器及其制造方法，所述级联型光电探测器包括，衬底以及形成于衬底之上的第一光电探测器、第二光电探测器，所述第一光电探测器和第二光电探测器串联连接以实现光路和电路的同时串联。所述第一光电探测器包括依次设置的P电极、P型欧姆接触层、第一P型半导体、第一吸收区半导体和第一N型半导体；所述第二光电探测器包括依次设置的第二P型半导体、第二吸收区半导体、第二N型半导体和N型欧姆接触层；还包括分布于所述第二N型半导体两侧并与所述N型欧姆接触层相邻设置的第一N电极和第二N电极。该级联型光电探测器能够在相同尺寸下提高器件RC限制带宽，降低器件RC时间常数，降低大带宽与高饱和特性之间的矛盾。
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