-
公开(公告)号：CN116776825A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202311065454.2
申请日：2023-08-23
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种低噪声放大器芯片的自动优化设计方法和装置，所述方法包括：根据设计指标确定低噪声放大器芯片的电路结构；确定电路结构对应的网表；选择优化算法，运行电路的散射参数和噪声性能的仿真，得到小信号仿真结果；判断小信号仿真结果是否满足设计指标，若不满足设计指标，则修改网表中的元件信息，重复执行小信号仿真，直到满足设计指标；修改网表中的仿真设置，运行电路的功率性能的仿真，得到谐波仿真结果；判断谐波仿真结果是否满足设计指标，若不满足设计指标，则修改网表中的元件信息，重复执行小信号仿真和谐波仿真，直到满足设计指标；根据仿真结果生成电路原理图。本发明能够缩短芯片设计时间、提高芯片设计效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117219680A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311137403.6
申请日：2023-09-05
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明实施例公开一种减薄介质层的氧化镓肖特基二极管及制备方法。自下而上包括第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层、β相单晶氧化镓基底层和β相单晶氧化镓本征层，β相单晶氧化镓本征层的中心位置上方设置有厚度为1nm‑4nm且面积小于β相单晶氧化镓本征层面积的氧化铝介质层；氧化铝介质层上方设置有第一肖特基接触金属层；第一肖特基接触金属层上方设置有第二肖特基接触金属层；第一肖特基接触金属层在氧化镓基底层的第一正投影覆盖氧化铝介质层在氧化镓基底层的第二正投影；第二肖特基接触金属层在氧化镓基底层的第三正投影覆盖第一肖特基接触金属层在氧化镓基底层的第一正投影；第一正投影、第二正投影和第三正投影的中心对齐。
-
公开(公告)号：CN117080079A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311312095.6
申请日：2023-10-11
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L21/34 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/45 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，所述方法包括：清洗氧化镓基底；在氧化镓基底的正面外延一层氧化镓本征层；使用电子束蒸发工艺，在氧化镓基底的背面沉积一层Ti金属层，并在Ti金属层上沉积第一Au金属层；将沉积了Ti金属层和第一Au金属层的氧化镓基底进行高温退火处理，形成欧姆接触电极；使用电感耦合等离子体刻蚀工艺，在氧化镓本征层上形成刻蚀区域和非刻蚀区域；使用磁控溅射工艺，在氧化镓本征层上的刻蚀区域沉积氮硅锆介质层；使用电子束蒸发技术，在氮硅锆介质层中间的无介质层区域沉积一层Ni金属层，并在Ni金属层上沉积第二Au金属层，得到肖特基电极。本发明能够提高肖特基电极边缘的耐压能力，具有良好的电学特性。
-
公开(公告)号：CN115394758A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210846604.2
申请日：2022-07-19
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L23/58 , H01L29/40 , H01L29/872 , H01L21/34
Abstract: 本发明实施例公开了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，在一个具体示例中，所述氧化镓肖特基二极管自下而上包括：第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层、氧化镓基底层和氧化镓本征层，所述氧化镓本征层的上方设置有场板；在所述氧化镓本征层和场板上方设置有肖特基电极和浮动金属环；所述浮动金属环包括1‑3个等环间距设置的金属环，环间距为1‑7μm，环宽度为0.5‑15μm。所述氧化镓肖特基二极管，通过在氧化镓本征层上方布置场板和浮动金属环，将击穿电压分散，使氧化镓肖特基二极管的电场强度分布均匀化，提高了二极管的抗击穿能力。
-
公开(公告)号：CN115394758B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210846604.2
申请日：2022-07-19
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L23/58 , H01L29/40 , H01L29/872 , H01L21/34
Abstract: 本发明实施例公开了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，在一个具体示例中，所述氧化镓肖特基二极管自下而上包括：第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层、氧化镓基底层和氧化镓本征层，所述氧化镓本征层的上方设置有场板；在所述氧化镓本征层和场板上方设置有肖特基电极和浮动金属环；所述浮动金属环包括1‑3个等环间距设置的金属环，环间距为1‑7μm，环宽度为0.5‑15μm。所述氧化镓肖特基二极管，通过在氧化镓本征层上方布置场板和浮动金属环，将击穿电压分散，使氧化镓肖特基二极管的电场强度分布均匀化，提高了二极管的抗击穿能力。
-
公开(公告)号：CN117080079B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311312095.6
申请日：2023-10-11
Applicant: 北京无线电测量研究所
IPC: H01L21/34 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/45 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，所述方法包括：清洗氧化镓基底；在氧化镓基底的正面外延一层氧化镓本征层；使用电子束蒸发工艺，在氧化镓基底的背面沉积一层Ti金属层，并在Ti金属层上沉积第一Au金属层；将沉积了Ti金属层和第一Au金属层的氧化镓基底进行高温退火处理，形成欧姆接触电极；使用电感耦合等离子体刻蚀工艺，在氧化镓本征层上形成刻蚀区域和非刻蚀区域；使用磁控溅射工艺，在氧化镓本征层上的刻蚀区域沉积氮硅锆介质层；使用电子束蒸发技术，在氮硅锆介质层中间的无介质层区域沉积一层Ni金属层，并在Ni金属层上沉积第二Au金属层，得到肖特基电极。本发明能够提高肖特基电极边缘的耐压能力，具有良好的电学特性。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.038 seconds)
