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公开(公告)号:CN102519778A
公开(公告)日:2012-06-27
申请号:CN201110442695.5
申请日:2011-12-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N1/32
Abstract: 一种便于磨抛透射电镜试样的装置属于金属材料磨抛试样设备领域。其特征在于:由带有中心通孔的柱体、螺栓构成;螺栓放置在中心通孔内且与柱体紧密扣合;螺栓的上半部分为标准螺栓,下半部分为与标准螺栓同轴且一体的延长杆,此延长杆是直径为3mm的圆柱杆。通过旋转螺栓使延长杆向下运动,当延长杆触及圆片时,根据所需最终的磨抛厚度,将薄圆片一点点顶出,进行机械研磨,直到减薄至所需尺寸。本装置具备以下优点:1、实用性强,针对切成φ3mm的各种圆片都可进行磨抛操作。2、直观便捷地控制磨抛过程中对圆片厚度的把握。3、提高效率,对剪切成φ3mm的圆片进行再磨抛,可提高制备透射电镜试样的效率和成功率。
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公开(公告)号:CN102321894A
公开(公告)日:2012-01-18
申请号:CN201110278799.7
申请日:2011-09-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种制备层状结构镍钨复合材料的方法属于复合材料制备技术领域。本发明在电铸过程中采用脉冲电源,平均电流密度为:12~17A/dm2,正占空比11%~25%,将阳极、阴极平行插入电铸液中,阳极为纯镍,阴极为不锈钢;电铸液的成分为硫酸镍:360~400克/升,氯化镍:46~58克/升,钨酸钠:1500~1800克/升,硼酸:55~60克/升。在电铸过程中搅拌,搅拌速度为:30~50转/分;电铸在72-78℃恒温下进行,并且在电铸过程中补充钨酸钠溶液。本发明提高了镍钨复合材料中的钨含量。
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公开(公告)号:CN102758232A
公开(公告)日:2012-10-31
申请号:CN201210227920.8
申请日:2012-07-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种提高钼基电触头表面镀金结合强度的方法,属于金属材料表面改性领域。本发明步骤:电镀前去除钼基电触头表面氧化物,然后用超声波清洗去除油污;之后电镀铜,铜层电镀液的组成:五水硫酸铜215~250g/L,硫酸65~80g/L,其余是水;工艺参数:pH值1.3~1.5,电流密度0.4~0.6A/dm2,温度20~50℃,电镀时间30s~120s,pH值用硫酸和氢氧化钠调节;再电镀金,镀金液的组成:三氯化金 25~35g/L,亚硫酸钠 135~160g/L,氯化钠 85~100g/L,其余是水;工艺参数:pH值9~11,电流密度0.1~0.3A/dm2,温度25~35℃,电镀时间90~140s,pH值用硫酸和氢氧化钠调节。本发明获得的镀金层与钼基电触头表面结合良好,无脱落、起皮现象发生。
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公开(公告)号:CN102534703A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201210002302.3
申请日:2012-01-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法属于金属材料制备技术领域。本发明在电沉积过程中采用脉冲电源,通电阶段电流密度为:20~28A/dm2,正占空比12%~25%,将阳极、阴极平行插入电解液中,阳极为纯铜,阴极为不锈钢;电解液的成分为硫酸铜:460~510克/升,添加剂成分为糖精:62~70克/升。在沉积过程中搅拌,搅拌速度为:60~80转/分;在50℃~58℃恒温下进行,沉积时间在30分钟~2小时,并且在电沉积过程中补充硫酸铜溶液。本发明获得了纳米/微米晶复合结构材料,解决材料强度提高而塑性降低的问题。
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公开(公告)号:CN202420943U
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN201120552189.7
申请日:2011-12-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N1/32
Abstract: 一种便于磨抛透射电镜试样的装置属于金属材料磨抛试样设备领域。其特征在于:由带有中心通孔的柱体、螺栓构成;螺栓放置在中心通孔内且与柱体紧密扣合;螺栓的上半部分为标准螺栓,下半部分为与标准螺栓同轴且一体的延长杆,此延长杆是直径为3mm的圆柱杆。通过旋转螺栓使延长杆向下运动,当延长杆触及圆片时,根据所需最终的磨抛厚度,将薄圆片一点点顶出,进行机械研磨,直到减薄至所需尺寸。本装置具备以下优点:1、实用性强,针对切成φ3mm的各种圆片都可进行磨抛操作。2、直观便捷地控制磨抛过程中对圆片厚度的把握。3、提高效率,对剪切成φ3mm的圆片进行再磨抛,可提高制备透射电镜试样的效率和成功率。
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