公开(公告)号：CN118281105A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410497372.3

申请日：2024-04-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李冲 ,  于书伟 ,  刘芮汐 ,  高昕元 ,  刘云飞 ,  马子怡

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种单载流子探测器及制备方法，属于光电检测技术领域。该探测器包括：采用本征Si衬底，预设厚度的本征吸收层或n‑型掺杂吸收层，可降低材料晶格失配度，同时降低材料成本，提高吸收光谱范围；本征吸收层或n‑型掺杂吸收层的一侧依次形成有n+型阻挡层和第二电极；本征吸收层或n‑型掺杂吸收层的另一侧依次形成有p型收集层、抗反射增透薄膜层、透明电极层和第一电极，p型收集层的上表面进行离子重掺杂，形成p+接触区和n+隔离环，n+隔离环位于p+接触区的外侧；透明电极层与p+接触区相接，形成欧姆接触。本发明的单载流子探测器具有宽吸收光谱、高吸收、高集成度和多功能等优点，适用波长范围为可见光、近红外波段。

公开(公告)号：CN117080290A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202310932390.5

申请日：2023-07-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李冲 ,  刘玥雯 ,  马子怡 ,  王稼轩 ,  李官政

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种基于微环结构的肖特基结多通道光电探测器，包括：衬底；多模波导，多模波导与衬底通过对版键合相连；衬底上的多个微环结构，微环结构上长有光吸收区；在光吸收区一侧生长一层金属层，另一侧进行离子注入形成掺杂区；在金属层上沉积并引出第一电极，在掺杂区上沉积并引出第二电极，第一电极和第二电极之间存在电势差实现光电转换。本发明通过多模波导与微环谐振腔耦合，利用微环谐振腔的增强作用提高光吸收层的量子效率及响应速度，同时通过多通道同时探测不同波长的光提高探测器的吸收效率。本发明制备工艺简单，集成度高，损耗低，稳定性高，易于与光通信器件集成组成光电集成电路。

公开(公告)号：CN117038773A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310932595.3

申请日：2023-07-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李冲 ,  马子怡 ,  刘玥雯 ,  王稼轩 ,  李官政

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种基于微环结构的多通道光电探测器，包括：衬底，衬底从上至下依次包括顶部本征层、埋氧层以及底部本征层；在衬底的顶部本征层上刻蚀形成一多模波导以及位于多模波导两侧的多个微环结构；微环结构上生长有光吸收层；在微环结构两侧分别进行离子注入形成P型掺杂区和N型掺杂区；在P型掺杂区上形成P+欧姆接触电极，在N型掺杂区上形成N+欧姆接触电极，P电极和N电极之间存在电势差实现光电转换。本发明通过多模波导与微环谐振腔耦合，利用微环谐振腔的增强作用提高光吸收层的量子效率及响应速度，同时通过多通道同时探测不同波长的光提高探测器的吸收效率。本发明工艺简单，集成度高，易于与光通信器件集成组成光电集成电路。