公开(公告)号：CN117080290A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202310932390.5

申请日：2023-07-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李冲 ,  刘玥雯 ,  马子怡 ,  王稼轩 ,  李官政

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种基于微环结构的肖特基结多通道光电探测器，包括：衬底；多模波导，多模波导与衬底通过对版键合相连；衬底上的多个微环结构，微环结构上长有光吸收区；在光吸收区一侧生长一层金属层，另一侧进行离子注入形成掺杂区；在金属层上沉积并引出第一电极，在掺杂区上沉积并引出第二电极，第一电极和第二电极之间存在电势差实现光电转换。本发明通过多模波导与微环谐振腔耦合，利用微环谐振腔的增强作用提高光吸收层的量子效率及响应速度，同时通过多通道同时探测不同波长的光提高探测器的吸收效率。本发明制备工艺简单，集成度高，损耗低，稳定性高，易于与光通信器件集成组成光电集成电路。

公开(公告)号：CN117038773A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310932595.3

申请日：2023-07-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李冲 ,  马子怡 ,  刘玥雯 ,  王稼轩 ,  李官政

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种基于微环结构的多通道光电探测器，包括：衬底，衬底从上至下依次包括顶部本征层、埋氧层以及底部本征层；在衬底的顶部本征层上刻蚀形成一多模波导以及位于多模波导两侧的多个微环结构；微环结构上生长有光吸收层；在微环结构两侧分别进行离子注入形成P型掺杂区和N型掺杂区；在P型掺杂区上形成P+欧姆接触电极，在N型掺杂区上形成N+欧姆接触电极，P电极和N电极之间存在电势差实现光电转换。本发明通过多模波导与微环谐振腔耦合，利用微环谐振腔的增强作用提高光吸收层的量子效率及响应速度，同时通过多通道同时探测不同波长的光提高探测器的吸收效率。本发明工艺简单，集成度高，易于与光通信器件集成组成光电集成电路。