公开(公告)号：CN119805659A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510238540.1

申请日：2025-03-03

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王智勇 ,  李官政 ,  葛廷武 ,  薛闯 ,  赵观瑞 ,  贾若愚 ,  阴钰毅

IPC: G02B6/245

Abstract: 本发明公开了一种光纤包层光剥离器废光接收装置，包括导热底座、上盖壳体，所述上盖壳体与导热底座上下盖合固定连接且内部围合形成光热转换腔体，所述光热换热腔内设有内光热转换翅片组，所述光纤包层光剥离器的双包层光纤的剥离段置于所述光热转换腔内，所述光纤包层光剥离器的玻璃管的两端通过所述导热底座和上盖壳体安装定位。该废光接收装置能够减少废光再次经过包层光剥离器的次数，避免废光对剥离段光纤进行反复持续加热，降低玻璃管内部光纤烧毁的风险，同时，能够使光热转换过程在整个光热转换腔体内均匀进行，可以有效避免导热底座和上盖壳体的前端热量积累过快造成的局部过热，从而降低剥离器前端烧毁的风险。

公开(公告)号：CN117080290A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202310932390.5

申请日：2023-07-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李冲 ,  刘玥雯 ,  马子怡 ,  王稼轩 ,  李官政

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种基于微环结构的肖特基结多通道光电探测器，包括：衬底；多模波导，多模波导与衬底通过对版键合相连；衬底上的多个微环结构，微环结构上长有光吸收区；在光吸收区一侧生长一层金属层，另一侧进行离子注入形成掺杂区；在金属层上沉积并引出第一电极，在掺杂区上沉积并引出第二电极，第一电极和第二电极之间存在电势差实现光电转换。本发明通过多模波导与微环谐振腔耦合，利用微环谐振腔的增强作用提高光吸收层的量子效率及响应速度，同时通过多通道同时探测不同波长的光提高探测器的吸收效率。本发明制备工艺简单，集成度高，损耗低，稳定性高，易于与光通信器件集成组成光电集成电路。

公开(公告)号：CN117038773A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310932595.3

申请日：2023-07-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李冲 ,  马子怡 ,  刘玥雯 ,  王稼轩 ,  李官政

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种基于微环结构的多通道光电探测器，包括：衬底，衬底从上至下依次包括顶部本征层、埋氧层以及底部本征层；在衬底的顶部本征层上刻蚀形成一多模波导以及位于多模波导两侧的多个微环结构；微环结构上生长有光吸收层；在微环结构两侧分别进行离子注入形成P型掺杂区和N型掺杂区；在P型掺杂区上形成P+欧姆接触电极，在N型掺杂区上形成N+欧姆接触电极，P电极和N电极之间存在电势差实现光电转换。本发明通过多模波导与微环谐振腔耦合，利用微环谐振腔的增强作用提高光吸收层的量子效率及响应速度，同时通过多通道同时探测不同波长的光提高探测器的吸收效率。本发明工艺简单，集成度高，易于与光通信器件集成组成光电集成电路。

公开(公告)号：CN118232146A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410319171.4

申请日：2024-03-20

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 葛廷武 ,  李彦杰 ,  薛闯 ,  赵观瑞 ,  李官政 ,  贾若愚

IPC: H01S3/067 ,  G02B6/02 ,  G02F1/39 ,  H01S3/094

Abstract: 本发明公开了一种环形结构拓宽可见光超连续谱的系统，包括依次连接的超短脉冲激光器、模场适配器和环形结构，模场适配器将高功率超短脉冲激光耦合进环形结构中；环形结构包括光纤耦合器和光子晶体光纤，光纤耦合器包括耦合器熔融拉锥区以及连接耦合器熔融拉锥区的两输入光纤和两输出光纤，一输入光纤的另一端与模场匹配器相连，另一输入光纤、光纤耦合器和一输出光纤依次连接成环形，另一输出光纤作为可见光超连续谱的输出光纤。本发明的环形结构有效增加非线性作用的距离，降低了制作成本；同时利用光纤耦合器熔融拉锥区所增强的非线性特性，实现更宽光谱可见光超连续谱激光输出。

公开(公告)号：CN116435873A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310205481.9

申请日：2023-03-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李冲 ,  刘云飞 ,  李官政 ,  于书伟 ,  高昕元 ,  刘芮汐

IPC: H01S5/42 ,  H01S5/183

Abstract: 本发明公开了一种窄线宽的相干光VCSEL阵列芯片，阵列尺寸为1×2；其包括：相对称的第一激光发射单元和第二激光发射单元；第一激光发射单元和第二激光发射单元均包括自上至下依次设置的第一反射镜、氧化限制层、有源层、第二反射镜和衬底层；第一激光发射单元和第二激光发射单元的氧化限制层的中间设有水滴型通光孔，第一激光发射单元和第二激光发射单元的端面设有水滴型出光孔；两个水滴型通光孔和两个水滴型出光孔均对称排布且孔间距小于激射波长。本发明的两激光在第一反射镜和第二反射镜之间振荡传播，在通光孔内通过倏逝波形式垂直于氧化限制层向表面方向出射，两个激光发射单元发射的倏逝波在水滴尖端附近产生耦合，发出相干光。