公开(公告)号：CN118472026B

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410924250.8

申请日：2024-07-11

Applicant: 辽宁材料实验室 ,  山西大学 ,  北京大学 ,  上海量羲技术有限公司

Inventor： 赵斯文 ,  韩拯 ,  武星光 ,  吴明 ,  刘阳 ,  林文璐 ,  王汉文

IPC: H01L29/778 ,  H03F3/193 ,  H01L31/032 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种极低温高电子迁移率晶体管及其制备方法、射频放大器，涉及半导体技术领域。HEMT包括：在底部栅极上依次形成的底层绝缘体电介质、过渡金属硫族化合物沟道层和封装层，设在所述封装层上的源极接触电极、漏极接触电极和顶部栅极。制备方法为：在衬底上制备底部栅极和底层绝缘体电介质，将沟道层和封装层转移至底层绝缘体电介质上，形成底层绝缘体电介质‑沟道层‑封装层的异质结，在异质结上制备源极接触电极、漏极接触电极和顶部栅极；其中，底层绝缘体电介质、沟道层和封装层均利用范德华力组装；采用蒸镀金属方法制备源极接触电极和顶部栅极。射频放大器包括所述的高电子迁移率晶体管。本发明基于TMD的HEMT，极低温下电子迁移率大于105cm2/(V·s)。

公开(公告)号：CN118299330A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410262049.8

申请日：2024-03-07

Applicant: 山西大学 ,  辽宁材料实验室 ,  北京大学

Inventor： 韩拯 ,  王汉文 ,  叶堉 ,  赵斯文

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/092 ,  H10B10/00 ,  H10B41/41 ,  H10B41/20 ,  H10B43/20 ,  H10B43/40 ,  H10B41/35 ,  H10B43/35

Abstract: 本发明属于微纳米器件技术领域，具体涉及一种用于实现3D垂直多层互连的二维半导体互补电路的方法。为了能够在物理上实现3D互补逻辑电路的垂直堆叠，本方法利用二维层状半导体材料特殊的晶体结构，通过范德华力将二维n‑型半导体、二维p‑型半导体、介电层、栅极以及源漏电极垂直组装为3D多层互连互补逻辑电路，其中二维p‑型半导体为：利用高功函数二维层状绝缘体材料与二维层状半导体材料范德华界面处的界面耦合，将二维层状半导体材料掺杂为二维p‑型半导体。

公开(公告)号：CN110540194A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201911006465.7

申请日：2019-10-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘磊 ,  韩拯 ,  李镇江 ,  李锐杰 ,  王恩哥

IPC: C01B32/19

Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，具体涉及一种利用FeCl3-GICs制备本征少层石墨烯的方法，包括原料配制、FeCl3-GICs合成、膨大剂处理、充分洗涤、超声剥离、离心分离六个步骤。本发明制备工艺简单，得到的石墨烯层数少而且质量高，具备大规模工业量产石墨烯的可能。

公开(公告)号：CN118116793A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410262048.3

申请日：2024-03-07

Applicant: 山西大学 ,  辽宁材料实验室 ,  北京大学

Inventor： 韩拯 ,  王汉文 ,  叶堉 ,  赵斯文

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明属于微纳米器件、二维电子器件以及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种基于范德华界面耦合实现二维半导体p型掺杂的方法。目前以元素置换掺杂或物理化学吸附等方式实现的掺杂往往存在工艺复杂、可靠性及稳定性差以及与目前的半导体工艺不兼容等问题，为了解决这些问题，本发明引入高功函数二维层状绝缘体材料，利用范德华力将其与二维层状半导体进行组装，通过二者界面处的电荷转移实现对二维半导体材料的简便、高效且稳定的掺杂改性。

公开(公告)号：CN118116956A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410262045.X

申请日：2024-03-07

Applicant: 山西大学 ,  辽宁材料实验室 ,  北京大学

Inventor： 韩拯 ,  王汉文 ,  叶堉 ,  赵斯文

IPC: H01L29/66 ,  H01L27/092 ,  H01L21/82 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明属于微纳米器件技术领域，具体涉及一种高迁移率二维半导体p型晶体管及其制备方法。为解决现有二维半导体p型晶体管迁移率较低这一应用难点，本发明利用二维层状材料特殊的晶体结构，通过范德华力将二维层状半导体与高功函数二维层状绝缘体材料垂直组装，并利用范德华界面处电荷转移将二维层状半导体调控为p型，这种原子级平整的范德华界面极大地减小了半导体内部载流子受到来自界面的散射，从而保证其高迁移率。

公开(公告)号：CN110540194B

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201911006465.7

申请日：2019-10-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘磊 ,  韩拯 ,  李镇江 ,  李锐杰 ,  王恩哥

IPC: C01B32/19

Abstract: 本发明属于材料化学技术领域，具体涉及一种利用FeCl3‑GICs制备本征少层石墨烯的方法，包括原料配制、FeCl3‑GICs合成、膨大剂处理、充分洗涤、超声剥离、离心分离六个步骤。本发明制备工艺简单，得到的石墨烯层数少而且质量高，具备大规模工业量产石墨烯的可能。

公开(公告)号：CN118472026A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410924250.8

申请日：2024-07-11

Applicant: 辽宁材料实验室 ,  山西大学 ,  北京大学 ,  上海量羲技术有限公司

Inventor： 赵斯文 ,  韩拯 ,  武星光 ,  吴明 ,  刘阳 ,  林文璐 ,  王汉文

IPC: H01L29/778 ,  H03F3/193 ,  H01L31/032 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法、射频放大器，涉及半导体技术领域。HEMT包括：在底部栅极上依次形成的底层绝缘体电介质、过渡金属硫族化合物沟道层和封装层，设在所述封装层上的源极接触电极、漏极接触电极和顶部栅极。制备方法为：在衬底上制备底部栅极和底层绝缘体电介质，将沟道层和封装层转移至底层绝缘体电介质上，形成底层绝缘体电介质‑沟道层‑封装层的异质结，在异质结上制备源极接触电极、漏极接触电极和顶部栅极；其中，底层绝缘体电介质、沟道层和封装层均利用范德华力组装；采用蒸镀金属方法制备源极接触电极和顶部栅极。射频放大器包括所述的高电子迁移率晶体管。本发明基于TMD的HEMT，极低温下电子迁移率大于105cm2/(V·s)。