公开(公告)号：CN100435281C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200610001301.1

申请日：2006-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  陈志涛 ,  苏月永 ,  杨志坚 ,  杨学林 ,  沈波

IPC: H01L21/205 ,  H01L43/12 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  C23C16/00

Abstract: 本发明提供一种制备GaN基稀磁半导体材料的方法，属于自旋电子学领域。该方法在利用金属有机化合物气相外延方法(MOCVD)生长GaN的过程中，突然停止通入镓源；即停止生长GaN，转而通入过渡金属有机源，生长过渡元素掺杂薄层后，再切换通入镓源，生长GaN层，如此循环得到GaN基磁半导体薄膜材料。通过本发明可以获得高质量、具有室温GaN基磁性半导体薄膜材料，可直接应用到利用MOCVD生长GaN基自旋光电材料和器件中。

公开(公告)号：CN1822320A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610001301.1

申请日：2006-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  陈志涛 ,  苏月永 ,  杨志坚 ,  杨学林 ,  沈波

IPC: H01L21/205 ,  H01L43/12 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/34 ,  C23C16/00

Abstract: 本发明提供一种制备GaN基稀磁半导体材料的方法，属于自旋电子学领域。该方法在利用金属有机化合物气相外延方法(MOCVD)生长GaN的过程中，突然停止通入镓源；即停止生长GaN，转而通入过渡金属有机源，生长过渡元素掺杂薄层后，再切换通入镓源，生长GaN层，如此循环得到GaN基磁半导体薄膜材料。通过本发明可以获得高质量、具有室温GaN基磁性半导体薄膜材料，可直接应用到利用MOCVD生长GaN基自旋光电材料和器件中。