-
公开(公告)号:CN114908338B
公开(公告)日:2023-02-17
申请号:CN202110171463.4
申请日:2021-02-07
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/54 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/26 , C23C14/26 , C23C14/16 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种用于在超薄自支撑薄膜上沉积碳纳米管的化学气相沉积装置,主要包括前级加热区、中央反应区和沉积区,在中央反应区和沉积区之间设置冷却系统,用来降低来自中央反应区的载热气体的温度,使得沉积区的温度低于薄膜材料的熔点。本发明还公开了使用该化学气相沉积装置制备复合靶材的方法,利用水冷组件直接降低来自中央反应区的热辐射,和外置水循环系统通过热交换降低反应气流的温度,成功制备出碳纳米管泡沫与超薄金属膜或高分子膜的复合靶材。
-
公开(公告)号:CN114057184A
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202010763009.3
申请日:2020-07-31
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/162 , C01B32/168 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种自支撑碳纳米管薄膜和自支撑碳纳米管薄膜靶,其制备方法和密度调控方法,以及所相应采用的制备装置。本发明提供的装置和/或方法通过浮动催化化学气相沉积法制得微观均匀的低密度碳管薄膜,之后用高精度压膜机对其进行压缩、转移得到自支撑的指定密度的薄膜靶,实现了靶孔处的自支撑和大范围的指定密度调控,可用于激光打靶实验或应用。
-
公开(公告)号:CN114908338A
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN202110171463.4
申请日:2021-02-07
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/54 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/26 , C23C14/26 , C23C14/16 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种用于在超薄自支撑薄膜上沉积碳纳米管的化学气相沉积装置,主要包括前级加热区、中央反应区和沉积区,在中央反应区和沉积区之间设置冷却系统,用来降低来自中央反应区的载热气体的温度,使得沉积区的温度低于薄膜材料的熔点。本发明还公开了使用该化学气相沉积装置制备复合靶材的方法,利用水冷组件直接降低来自中央反应区的热辐射,和外置水循环系统通过热交换降低反应气流的温度,成功制备出碳纳米管泡沫与超薄金属膜或高分子膜的复合靶材。
-
公开(公告)号:CN114057184B
公开(公告)日:2023-06-09
申请号:CN202010763009.3
申请日:2020-07-31
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/162 , C01B32/168 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种自支撑碳纳米管薄膜和自支撑碳纳米管薄膜靶,其制备方法和密度调控方法,以及所相应采用的制备装置。本发明提供的装置和/或方法通过浮动催化化学气相沉积法制得微观均匀的低密度碳管薄膜,之后用高精度压膜机对其进行压缩、转移得到自支撑的指定密度的薄膜靶,实现了靶孔处的自支撑和大范围的指定密度调控,可用于激光打靶实验或应用。
-
-
-