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公开(公告)号：CN1274030C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN03104662.2
申请日：2003-02-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种厚膜SOI场效应晶体管，目的是提供一种既可以实现硅膜全耗尽，又可以克服SOI器件固有的Kink效应，同时还能够增加器件的驱动电流，提高速度，改善短沟性能的厚膜SOI场效应晶体管。本发明的技术方案为：一种厚膜SOI场效应晶体管，它包括源区、漏区、栅氧化层、埋氧化层、背栅、硅膜、衬底及沟道在内的厚膜SOI场效应晶体管的本体，在靠近所述背栅的界面设有一个相反掺杂的异型硅岛。本发明不仅克服了厚膜SOI场效应晶体管所固有的Kink效应，器件的驱动电流也大大增加，使得器件工作速度大大提高。异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置有较大波动，为厚膜SOI器件提供了一个更广阔的设计空间。
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公开(公告)号：CN1269222C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN03104666.5
申请日：2003-02-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种非对称栅场效应晶体管，目的是提供一种非对称栅场效应晶体管，它可以形成很好的沟道电场分布和电子速度分布，抑制器件的短沟效应、同时提高沟道内载流子的速度，提高器件的驱动电流、跨导及截止频率，且利于小尺寸器件的制作。本发明所提供的非对称栅场效应晶体管，包括栅氧化层、源区、漏区和衬底在内的场效应晶体管本体，在所述衬底的两端置有所述源区和漏区，在所述源区和漏区之间的衬底上置有所述栅氧化层，所述栅氧化层分为两部分，一部分靠近源区，一部分靠近漏区，所述靠近源区的栅氧化层厚度和靠近漏区的栅氧化层厚度之比为tox1/tox2＝2∶1。本发明非对称栅场效应晶体管在特征尺寸缩小以后，仍然可以有效地抑制器件的DIBL效应，改善器件的短沟道特性，是深亚微米器件的一个很好选择。
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公开(公告)号：CN1438682A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN03100823.2
申请日：2003-01-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/84
Abstract: 本发明提供了一种利用氢氦联合注入制备场效应晶体管的方法，先在硅片上热氧化形成注入掩蔽氧化层，然后联合注入氢气和氦气，再在高温条件下退火形成空洞层；去掉掩蔽氧化层，然后在空洞层之上的硅膜上采用常规CMOS工艺制备出场效应晶体管。本发明提出的方法将材料制备和电路制造有机地结合起来，相比较SOI技术有效地缩短了工艺流程，降低了成本；本发明的方法和传统的CMOS工艺完全兼容，具有极大的可行性。
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公开(公告)号：CN1182585C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN03131044.3
申请日：2003-05-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管，包括源漏、栅介质、栅电极、沟道和衬底，在源漏靠近沟道一边的侧面和衬底之间有垂直于沟道方向的第一介质隔离层，该第一介质隔离层顶端与沟道表面之间为源漏和沟道的连接部；在源漏底部和衬底之间有平行于沟道方向的第二介质隔离层，该第二介质层与第一介质隔离层连接成一个“L”形。场效应晶体管的制备，先采用选择性外延技术制备第一介质隔离层，再利用氢氦联合注入形成隐埋空洞层的技术来制备第二介质隔离层。本发明的场效应晶体管采用源漏被介质隔离层包裹的结构，可以有效地控制短沟道效应。
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公开(公告)号：CN1523674A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN03104666.5
申请日：2003-02-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种非对称栅场效应晶体管，目的是提供一种非对称栅场效应晶体管，它可以形成很好的沟道电场分布和电子速度分布，抑制器件的短沟效应、同时提高沟道内载流子的速度，提高器件的驱动电流、跨导及截止频率，且利于小尺寸器件的制作。本发明的技术方案是：一种非对称栅场效应晶体管，包括栅氧化层、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，在衬底的两端置有所述源端和漏端，在源端和漏端之间的衬底上置有栅氧化层，栅氧化层分为两部分，一部分靠近源端，一部分靠近漏端，靠近源端部分的栅氧化层厚度大于靠近漏端的栅氧化层厚度。本发明非对称栅场效应晶体管在特征尺寸缩小以后，仍然可以有效地抑制器件的DIBL效应，改善器件的短沟道特性，是深亚微米器件的一个很好选择。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1274029C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN03105085.9
申请日：2003-03-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种低静态功耗、低关态电流、高电流开关比的场效应晶体管器件。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底的两端，所述栅设于所述源端和漏端之间的衬底，所述栅分为三部分，分别为靠近源端部分栅，靠近漏端部分栅，和中间部分栅，所述中间部分栅为多晶硅材料。对本发明的模拟结果表明：适当提高靠近源端栅材料的功函数，降低靠近漏端栅材料的功函数能够显著降低器件的关态泄漏电流，减小器件的静态功耗，提高器件的电流开关比，当源、漏端的功函数为一定值时，mpolypoly结构和mpolym结构的由DIBL效应引起的阈值电压漂移有一个最小值。
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公开(公告)号：CN1193413C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN03100823.2
申请日：2003-01-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/84
Abstract: 本发明提供了一种利用氢氦联合注入制备场效应晶体管的方法，先在硅片上热氧化形成注入掩蔽氧化层，然后联合注入氢气和氦气，再在高温条件下退火形成空洞层；去掉掩蔽氧化层，然后在空洞层之上的硅膜上采用常规CMOS工艺制备出场效应晶体管。本发明提出的方法将材料制备和电路制造有机地结合起来，相比较SOI技术有效地缩短了工艺流程，降低了成本；本发明的方法和传统的CMOS工艺完全兼容，具有极大的可行性。
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公开(公告)号：CN1527398A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03105085.9
申请日：2003-03-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种低静态功耗、低关态电流、高电流开关比的场效应晶体管器件。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底的两端，所述栅设于所述源端和漏端之间的衬底，所述栅分为三部分，分别为靠近源端部分栅，靠近漏端部分栅，和中间部分栅，所述中间部分栅为多晶硅材料。对本发明的模拟结果表明：适当提高靠近源端栅材料的功函数，降低靠近漏端栅材料的功函数能够显著降低器件的关态泄漏电流，减小器件的静态功耗，提高器件的电流开关比，当源、漏端的功函数为一定值时，mpolypoly结构和mpolym结构的由DIBL效应引起的阈值电压漂移有一个最小值。
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公开(公告)号：CN1523678A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN03104662.2
申请日：2003-02-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种厚膜SOI场效应晶体管，目的是提供一种既可以实现硅膜全耗尽，又可以克服SOI器件固有的Kink效应，同时还能够增加器件的驱动电流，提高速度，改善短沟性能的厚膜SOI场效应晶体管。本发明的技术方案为：一种厚膜SOI场效应晶体管，它包括源区、漏区、栅氧化层、埋氧化层、背栅、硅膜、衬底及沟道在内的厚膜SOI场效应晶体管的本体，在靠近所述背栅的界面设有一个相反掺杂的异型硅岛。本发明不仅克服了厚膜SOI场效应晶体管所固有的Kink效应，器件的驱动电流也大大增加，使得器件工作速度大大提高。异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置有较大波动，为厚膜SOI器件提供了一个更广阔的设计空间。
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公开(公告)号：CN1450653A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03131044.3
申请日：2003-05-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管，包括源漏、栅介质、栅电极、沟道和衬底，在源漏和衬底之间有垂直于沟道方向的第一介质隔离层，该第一介质隔离层顶端与沟道表面之间为源漏和沟道的连接部；在源漏底部和衬底之间有平行于沟道方向的第二介质隔离层，该第二介质层与第一介质隔离层连接成一个“L”形。场效应晶体管的制备，先采用选择性外延技术制备第一介质隔离层，再利用氢氦联合注入形成隐埋空洞层的技术来制备第二介质隔离层。本发明的场效应晶体管采用源漏被介质隔离层包裹的结构，可以地控制短沟道效应。
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