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公开(公告)号：CN114815002A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210414572.9
申请日：2022-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用片上拓扑光子晶体波导调控单层过渡金属硫族化合物受激发光的方法。本发明通过设计不同晶格对称性的光子晶体，利用其在高对称点打开的不同拓扑性质的带隙，实现可见光波段的拓扑边界态；借助由电子束激发的阴极荧光实现对光子晶体模式的深亚波长分析，获得了拓扑光子晶体波导在不同区域具有的不同辐射特性，以此调控单层过渡金属硫族化合物的受激发光。本发明有利于微纳尺度的光学信号激发和传输，对片上光学芯片的发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN107732017B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201710933104.1
申请日：2017-10-10
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种等离激元结构衬底及其制备和应用。所述等离激元结构衬底包括基底、反射层、绝缘层、金属纳米结构阵列和正负电极，首次利用等离激元场增强原理制备钙钛矿器件增强衬底，通过物理方法使钙钛矿材料实现了在红外光波段的吸收限扩展和在整个吸收区间的增强吸收，避免了由化学掺杂钙钛矿层所带来的负面影响。
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公开(公告)号：CN107748410B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201711098497.5
申请日：2017-11-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种近远场集成平面光学调控器件及其设计和制备方法。该器件在等离激元平面光学元件中首次实现通过入射光自旋对近场表面等离激元和远场空间光的传播同时进行调控，达到近场表面等离激元波单向传播，而远场空间光形成聚焦。通过优化设计，该器件在近场或远场的调控效果可以媲美传统的单一的近场或远场调控器件，在目前光学器件小型化、多功能化以及高密度化的趋势下，该近场和远场光学调控集成器件具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107084917B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201710216916.4
申请日：2017-04-05
Applicant: 北京大学
IPC: G01N15/10
Abstract: 本发明公开了一种光热差分显微成像装置及单个粒子成像方法。所述装置包括用于光学成像的照明系统，用于提取金属颗粒周围热吸收信息的泵浦‑探测双光束微弱信号探测系统，以及对样品作二维扫描的平面扫描系统，其中，光学成像照明系统用来寻找样品标记物所在的位置，泵浦‑探测双光束微弱信号探测系统利用探测光束将样品周围的热辐射微弱信号提取出来，平面扫描系统实现对样品的二维扫描，通过计算机处理将提取的微弱热信号作二维强度分布图，实现对单个粒子的光热差分显微成像。
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公开(公告)号：CN117748294A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311697695.9
申请日：2023-12-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用具有共振模式的类光栅结构实现二维激子定向扩散的方法，通过将单层过渡金属硫族化合物(MTMDs)转移到精确设计的亚波长光栅结构上，利用亚波长光栅结构的不均匀支撑为MTMDs引入一维周期性应变，从而形成一维周期性的激子势场，使二维激子沿对应的周期性激子势场通道定向扩散，同时亚波长光栅结构具有的共振模式可以增强激子发射强度和提升激子密度，进一步增强激子扩散的各向异性。该方法极大地提升了MTMDs中激子扩散的各向异性，同时提高了发光效率，降低了能量消耗，而且结构简单，成本低，对于基于激子操作的器件设计具有指导意义，在信息探测、传输、处理、储存等方面具有广阔的市场前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117007565A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310732878.3
申请日：2023-06-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种深亚波长立体表征光子器件光学辐射信号的方法，利用电子束在不同加速电压下穿透深度不同和主要作用区域不同的特点，使用不同能量的电子束入射光子器件样品，并通过扫描电子显微镜进行x‑y平面扫描，收集阴极发光信号，在深亚波长尺度表征光子器件样品不同深度(z)不同区域(x‑y)的光学辐射信号。该方法利用电子‑物质‑光子之间相互作用的不同机制，助力纳米级光子器件光学辐射信号的立体表征，促进光子器件及光电混合器件的发展。
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公开(公告)号：CN114815002B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210414572.9
申请日：2022-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用片上拓扑光子晶体波导调控单层过渡金属硫族化合物受激发光的方法。本发明通过设计不同晶格对称性的光子晶体，利用其在高对称点打开的不同拓扑性质的带隙，实现可见光波段的拓扑边界态；借助由电子束激发的阴极荧光实现对光子晶体模式的深亚波长分析，获得了拓扑光子晶体波导在不同区域具有的不同辐射特性，以此调控单层过渡金属硫族化合物的受激发光。本发明有利于微纳尺度的光学信号激发和传输，对片上光学芯片的发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114324438A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011078556.4
申请日：2020-10-10
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/2254
Abstract: 本发明公开了一种室温纳米谷极化荧光的等离激元激发方法，使无自旋注入的电子束激发可通过金属纳米结构支持的等离激元共振由能量转移的方式激发单层过渡金属硫族化合物(MTMDs)谷极化荧光，极大地降低了能谷自由度的使用尺度，通过电子束纳米尺度移动精确改变激发位置进而改变金属纳米结构电磁模式，实现对谷极化度的亚波长尺度操控。此方法可运用于谷赝自旋与金属等离激元耦合研究、谷极化荧光远场光学结构设计、谷电子器件集成，具有尺度小、灵敏度高、鲁棒性高等特点。
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公开(公告)号：CN112287594A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910623868.X
申请日：2019-07-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于纳米光子学器件的神经网络自学习系统及其运用，首次利用贝叶斯优化和深度神经网络来分析、研究及优化纳米光子学器件光学性质。本发明的神经网络自学习系统同时利用了神经网络的强数据表征能力和贝叶斯优化的高效数据采样属性，实现了深度神经网络的自学习功能，使得对光子学系统的分析计算具有较强的系统鲁棒性和一定的智能性，避免了传统优化算法对数据拟合能力不足的缺陷，增加了对光学系统全局优化的能力，为纳米光子学器件的分析和设计提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN107748410A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201711098497.5
申请日：2017-11-09
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G02B6/122 , G02B6/136 , G02B2006/12176
Abstract: 本发明公开了一种近远场集成平面光学调控器件及其设计和制备方法。该器件在等离激元平面光学元件中首次实现通过入射光自旋对近场表面等离激元和远场空间光的传播同时进行调控，达到近场表面等离激元波单向传播，而远场空间光形成聚焦。通过优化设计，该器件在近场或远场的调控效果可以媲美传统的单一的近场或远场调控器件，在目前光学器件小型化、多功能化以及高密度化的趋势下，该近场和远场光学调控集成器件具有广阔的应用前景。
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