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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117748294A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311697695.9
申请日：2023-12-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用具有共振模式的类光栅结构实现二维激子定向扩散的方法，通过将单层过渡金属硫族化合物(MTMDs)转移到精确设计的亚波长光栅结构上，利用亚波长光栅结构的不均匀支撑为MTMDs引入一维周期性应变，从而形成一维周期性的激子势场，使二维激子沿对应的周期性激子势场通道定向扩散，同时亚波长光栅结构具有的共振模式可以增强激子发射强度和提升激子密度，进一步增强激子扩散的各向异性。该方法极大地提升了MTMDs中激子扩散的各向异性，同时提高了发光效率，降低了能量消耗，而且结构简单，成本低，对于基于激子操作的器件设计具有指导意义，在信息探测、传输、处理、储存等方面具有广阔的市场前景。
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公开(公告)号：CN114815002B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210414572.9
申请日：2022-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用片上拓扑光子晶体波导调控单层过渡金属硫族化合物受激发光的方法。本发明通过设计不同晶格对称性的光子晶体，利用其在高对称点打开的不同拓扑性质的带隙，实现可见光波段的拓扑边界态；借助由电子束激发的阴极荧光实现对光子晶体模式的深亚波长分析，获得了拓扑光子晶体波导在不同区域具有的不同辐射特性，以此调控单层过渡金属硫族化合物的受激发光。本发明有利于微纳尺度的光学信号激发和传输，对片上光学芯片的发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114324438A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011078556.4
申请日：2020-10-10
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/2254
Abstract: 本发明公开了一种室温纳米谷极化荧光的等离激元激发方法，使无自旋注入的电子束激发可通过金属纳米结构支持的等离激元共振由能量转移的方式激发单层过渡金属硫族化合物(MTMDs)谷极化荧光，极大地降低了能谷自由度的使用尺度，通过电子束纳米尺度移动精确改变激发位置进而改变金属纳米结构电磁模式，实现对谷极化度的亚波长尺度操控。此方法可运用于谷赝自旋与金属等离激元耦合研究、谷极化荧光远场光学结构设计、谷电子器件集成，具有尺度小、灵敏度高、鲁棒性高等特点。
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公开(公告)号：CN114815002A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210414572.9
申请日：2022-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用片上拓扑光子晶体波导调控单层过渡金属硫族化合物受激发光的方法。本发明通过设计不同晶格对称性的光子晶体，利用其在高对称点打开的不同拓扑性质的带隙，实现可见光波段的拓扑边界态；借助由电子束激发的阴极荧光实现对光子晶体模式的深亚波长分析，获得了拓扑光子晶体波导在不同区域具有的不同辐射特性，以此调控单层过渡金属硫族化合物的受激发光。本发明有利于微纳尺度的光学信号激发和传输，对片上光学芯片的发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114324438B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202011078556.4
申请日：2020-10-10
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/2254
Abstract: 本发明公开了一种室温纳米谷极化荧光的等离激元激发方法，使无自旋注入的电子束激发可通过金属纳米结构支持的等离激元共振由能量转移的方式激发单层过渡金属硫族化合物(MTMDs)谷极化荧光，极大地降低了能谷自由度的使用尺度，通过电子束纳米尺度移动精确改变激发位置进而改变金属纳米结构电磁模式，实现对谷极化度的亚波长尺度操控。此方法可运用于谷赝自旋与金属等离激元耦合研究、谷极化荧光远场光学结构设计、谷电子器件集成，具有尺度小、灵敏度高、鲁棒性高等特点。
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