公开(公告)号：CN113421963A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202110647502.3

申请日：2021-06-10

Applicant: 北京大学 ,  钱塘科技创新中心

Inventor： 蔡一茂 ,  陈青钰 ,  王宗巍 ,  张霜杰 ,  黄如

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种低功耗三维阻变存储器，在阻变存储器的电极与阻变薄膜之间插入了一层石墨烯阻挡层，所述石墨烯阻挡层为化学气相淀积法制备的石墨烯薄膜，其中存在少量纳米缺陷孔。该石墨烯阻挡层可以限制电极金属往阻变层的移动，使金属只能从少量的缺陷孔中通过，限制金属导电细丝的生长。因此，器件在数据写入过程中只能形成较细、较少的金属导电细丝，从而在数据擦除过程中大幅降低数据擦除电流，显著降低阻变存储器的功耗。

公开(公告)号：CN116615036A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310335739.7

申请日：2023-03-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 许晓燕 ,  张霜杰 ,  郑雨晴 ,  王宗巍 ,  蔡一茂 ,  黄如

IPC: H10K30/65 ,  H10K85/10 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公布了一种柔性宽光谱光电突触晶体管及其制备方法，属于神经形态计算技术领域。该柔性光电突触晶体管以两层具有不同波段光吸收特征的聚合物半导体作为沟道，采用聚电解质作为栅介电层，利用两种具有不同波段光吸收特征的聚合物半导体来拓宽光电突触器件的光吸收范围，同时聚电解质独特的电学特性，实现低电压操作下的光电双调制，从离子动力学角度模拟多种突触可塑性，且本发明采用的材料均为柔性材料，可应用于各种不规则曲面。