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公开(公告)号：CN118099200A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211487562.4
申请日：2022-11-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种阈值电压可控的超薄多桥沟道晶体管及其制备方法。所述超薄多桥沟道晶体管，包括衬底及在衬底上堆叠的多层环栅晶体管结构，每一层环栅晶体管结构由下到上依次为背栅电极、背栅介质、沟道、顶栅介质、顶栅电极，沟道两端为源漏电极；下层环栅晶体管结构的顶栅电极同时作为上层环栅晶体管结构的背栅电极，各层的源漏电极互连，背栅电极和各层的顶栅电极互连；其中顶栅介质为界面金属氧化物层与高κ介质层的堆叠层。本发明采用原子层沉积生长厚度低于1nm的界面金属氧化物层，形成原位电偶极子调控器件阈值电压；采用二维材料、氧化物半导体、碳纳米管等作为沟道，并通过双层或更多层沟道增加了载流子输运路径，实现性能更好的器件。
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