公开(公告)号：CN106887329B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201710070951.X

申请日：2017-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨金波 ,  付建波 ,  王常生 ,  刘顺荃 ,  杜红林 ,  韩景智

IPC: H01F41/18 ,  H01F41/30

Abstract: 本发明涉及一种外延生长具有垂直磁各向异性的钇铁石榴石纳米薄膜的方法，该方法首先在衬底上外延生长一缓冲层，然后在所述缓冲层上外延生长钇铁石榴石纳米薄膜。所述缓冲层为晶格常数介于衬底和钇铁石榴石之间的材料，如钐镓石榴石等。衬底可以采用掺杂替代的钆镓石榴石。进一步可以在所述钇铁石榴石纳米薄膜上再外延生长一层晶格常数大于钇铁石榴石的材料，以加大垂直方向的应变程度。本发明利用缓冲层克服了面内的应力驰豫问题，获得了较高的诱导磁各向异性，最终获得了具有垂直磁各向异性的高质量外延钇铁石榴石纳米薄膜。对于磁光器件，微波和自旋电子学器件的研究和应用具有重大的意义。

公开(公告)号：CN106887329A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201710070951.X

申请日：2017-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨金波 ,  付建波 ,  王常生 ,  刘顺荃 ,  杜红林 ,  韩景智

IPC: H01F41/18 ,  H01F41/30

CPC classification number: H01F41/18 ,  H01F41/30

Abstract: 本发明涉及一种外延生长具有垂直磁各向异性的钇铁石榴石纳米薄膜的方法，该方法首先在衬底上外延生长一缓冲层，然后在所述缓冲层上外延生长钇铁石榴石纳米薄膜。所述缓冲层为晶格常数介于衬底和钇铁石榴石之间的材料，如钐镓石榴石等。衬底可以采用掺杂替代的钆镓石榴石。进一步可以在所述钇铁石榴石纳米薄膜上再外延生长一层晶格常数大于钇铁石榴石的材料，以加大垂直方向的应变程度。本发明利用缓冲层克服了面内的应力驰豫问题，获得了较高的诱导磁各向异性，最终获得了具有垂直磁各向异性的高质量外延钇铁石榴石纳米薄膜。对于磁光器件，微波和自旋电子学器件的研究和应用具有重大的意义。