一种高真空下绝缘材料表面电位控制方法

    公开(公告)号:CN115996506A

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202211464993.9

    申请日:2022-11-22

    Abstract: 本发明公开了一种高真空下绝缘材料表面电位控制方法,采用紫外光源辐照绝缘材料试样,使其产生辐射诱导电导率,通过电荷对地泄放的方式将电荷排出。本发明中,采用紫外光源辐照绝缘材料试样,使其产生辐射诱导电导率,通过电荷对地泄放的方式将电荷排出,可有效消除绝缘材料试样表面积累电荷形成的表面电位,无需另外配备电子枪、离子源等价格昂贵的设备,降低了电位控制的成本,无复杂的外部电路设计,增加了测试可靠性;利用紫外辐照方式实现高真空条件下绝缘材料表面电位控制,无需接触样品表面即可完成中和表面电位操作,避免破坏样品表面形貌进而影响其二次电子发射特性,增加了测试稳定性,提高二次电子发射系数测量的准确性。

    适用于微纳卫星的轻小型电离层光度计

    公开(公告)号:CN108613739A

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201810349603.0

    申请日:2018-04-18

    Abstract: 本发明公开了一种适用于微纳卫星平台的电离层光度计,包括中空抛物面反射镜、MCP型抗振探测器及电路板,反射镜与探测器依次设置在电路板上并使入射到反射板上的光线汇聚进探测器中,探测器包括支撑框架以及框架内的BaF2晶体窗口,微通道板,探测器阳极和高压电源,光线经BaF2晶体窗口滤除杂散光后通过微通道板进行光电转换及电子倍增,并经由探测器阳极接收倍增电荷云信号。本发明将现有光度计的重量由5Kg以上减轻为1Kg以下,体积减小50%以上且减少了光子滤光片损失,使仪器灵敏度提高30%以上,适用于批量加工,降低批量化生产成本。

    一种宽范围等离子体密度调节装置

    公开(公告)号:CN101453821B

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN200710195516.6

    申请日:2007-12-04

    Abstract: 本发明是通过在等离子体源出口处增加一套调节装置,来实现等离子体源参数不变的情况下改变输出的等离子体密度。其原理是:等离子体扩散到达密度调节装置的多孔圆盘处,多孔圆盘有对应不同密度的孔栏,只有通过正对孔栏位置的等离子体可以通过。通过调整圆盘正对等离子体源的孔栏,就可控制使不同的孔栏档在等离子体源输出出口处,从而进行等离子体密度的控制。本发明在不改变等离子体源参数的情况下改变输出的等离子体密度。改变的趋势可由使用者在最高不超过等离子体源所达到最大等离子体密度的范围内预先设定,并且可以迅速进行1~2个数量级大小的密度改变。

    真空环境下绝缘材料表面静电放电特性检测方法及系统

    公开(公告)号:CN118795298A

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202411118386.6

    申请日:2024-08-15

    Abstract: 本发明提供一种真空环境下绝缘材料表面静电放电特性检测方法及系统,方法包括,构建模拟真空环境,模拟真空环境包括第一传感器、第二传感器和第三传感器;当模拟真空环境中的介质材料的静电放电发生区域发生放电时,分别获取第一静电放电响应、第二静电放电响应和第三静电放电响应;基于第一传感器、第二传感器和第三传感器的位置坐标,以及分别距离静电放电发生区域的第一距离、第二距离和第三距离,确定静电放电发生区域的坐标;通过放电源模拟放电电流脉冲,产生第一实时放电响应,第二实时放电响应和第三实时放电响应,由于先定位出静电放电发生区域,再利用放电源模拟的方式,能够准确地检测出介质材料表面的放电特性。

    低气压放电试验方法和系统
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117310418A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311423286.X

    申请日:2023-10-30

    Abstract: 本申请公开了一种低气压放电试验方法和系统,该方法包括:获取样品中的试验电极的电极距离和电极形状;根据所述电极形状,确定所述试验电极的电极类型;根据所述电极类型和与所述电极类型对应的帕邢曲线,得到实际测量的多组最小起晕电压值;基于所述多组最小起晕电压值和所述电极距离,得到试验压力值;根据所述试验压力值,控制试验系统中真空容器内的压力值,以进行试验。该方案能够精准地确定出试验电极的电极类型,考虑到该电极类型便于精准地确定出试验压力值,并且能够更细粒度地控制试验系统中真空容器内的压力值,从而较为真实地模拟空间低气压环境,可为航天器高压电子产品低气压试验评估提供技术手段。

    基于无狭缝光谱分光的大视场多谱段极紫外成像仪

    公开(公告)号:CN107543608A

    公开(公告)日:2018-01-05

    申请号:CN201611030359.9

    申请日:2016-11-16

    Abstract: 本发明公开了一种基于无狭缝光谱分光的大视场多谱段极紫外成像仪,包括两个光电传感器、柱状透镜、多层膜反射镜、掠入射光栅等,极紫外目标成像谱段经光路准直单元准直,平行入射的极紫外光经掠入射光栅分光,得到高光谱分辨率的太阳像,在小掠入射角的条件下,形成近似一维的椭圆形太阳像,多个光谱段的太阳像经多层膜反射镜将不同谱段能量汇聚图像;重要的谱段通过柱状透镜进行一维放大,得到该重要的谱段完整的二维太阳极紫外像。本发明利用一台望远镜的资源,实现对太阳极紫外光多条谱线的高空间分辨率和高光谱分辨率成像,可以及时、准确地预测太阳爆发活动。

    辐照试验的控温方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102455715A

    公开(公告)日:2012-05-16

    申请号:CN201010512684.5

    申请日:2010-10-20

    Abstract: 本发明公开了一种辐照试验中的样品温度控制方法,该方法利用高反光、高导热材料制成的反光片遮挡固定样品的靶台,同时靶台与反光片之间使用隔热材料支撑,且使反光片通过导热桥与低温结构相连,及时将反光片获得的热量传导出去。通过这种方法最大限度减弱了靶台被加热的效果,降低了温控系统的负荷,利用有限的控温能力保证了样品的理想温度,解决了在辐照源加热作用强烈的试验中样品温度容易过高的问题。

    真空容器内局部位置的真空度测量系统及测量方法

    公开(公告)号:CN102455236A

    公开(公告)日:2012-05-16

    申请号:CN201010517822.9

    申请日:2010-10-25

    Abstract: 本发明公开了一种真空容器内局部位置的真空度测量系统及测量方法,该系统包括一端设置在真空容器上的波纹管,波纹管与真空容器之间通过密封法兰进行真空密封,真空规设置在波纹管的另一端,并根据真空规的具体接口进行密封,真空规的引线穿过波纹管引出到真空容器外,通过移动设置真空规的波纹管一端,至待测量真空度的位置,并通过真空规进行该位置真空度的测量。本发明由于通过将真空规放入真空容器内进行测量,能够完成局部位置的真空度测量,此外,测量系统结构简单、规模小,对现有的真空规不要求改动,易于实现。

    一种宽范围等离子体密度调节装置

    公开(公告)号:CN101453821A

    公开(公告)日:2009-06-10

    申请号:CN200710195516.6

    申请日:2007-12-04

    Abstract: 本发明是通过在等离子体源出口处增加一套调节装置,来实现等离子体源参数不变的情况下改变输出的等离子体密度。其原理是:等离子体扩散到达密度调节装置的多孔圆盘处,多孔圆盘有对应不同密度的孔栏,只有通过正对孔栏位置的等离子体可以通过。通过调整圆盘正对等离子体源的孔栏,就可控制使不同的孔栏挡在等离子体源输出出口处,从而进行等离子体密度的控制。本发明在不改变等离子体源参数的情况下改变输出的等离子体密度。改变的趋势可由使用者在最高不超过等离子体源所达到最大等离子体密度的范围内预先设定,并且可以迅速进行1~2个数量级大小的密度改变。

    一种电极容器及包含该容器的静电放电模拟源装置

    公开(公告)号:CN101452028A

    公开(公告)日:2009-06-10

    申请号:CN200710195194.5

    申请日:2007-12-04

    Abstract: 本发明公开了一种电极容器,包括容器体,容器体底部垂直于两侧壁插入相对设置的两电极,其中任一电极下方的容器体一侧的底部插入有可读出电极之间距离的标尺,上方设置有压力表,容器体另一侧上下焊接有出气通道和进气通道,出气通道和进气通道上分别设置有出气阀和进气阀,所述任一电极和标尺分别连接到传动机构上以调整两电极之间的距离并移动标尺。本发明还进一步公开了包含上述电极容器的静电放电(ESD)模拟源装置。该装置具有多项可调节参数同时通过选用适当的替换元件,调节放电参数,可以在一定程度上产生满足需要的放电波形,模拟空间环境下的静电放电现象及其产生的干扰。

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