公开(公告)号：CN101453821B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200710195516.6

申请日：2007-12-04

Applicant: 北京卫星环境工程研究所

Inventor： 刘业楠 ,  任兆杏 ,  冯伟泉 ,  徐焱林 ,  王志浩 ,  杨勇 ,  聂翔宇

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/34

Abstract: 本发明是通过在等离子体源出口处增加一套调节装置，来实现等离子体源参数不变的情况下改变输出的等离子体密度。其原理是：等离子体扩散到达密度调节装置的多孔圆盘处，多孔圆盘有对应不同密度的孔栏，只有通过正对孔栏位置的等离子体可以通过。通过调整圆盘正对等离子体源的孔栏，就可控制使不同的孔栏档在等离子体源输出出口处，从而进行等离子体密度的控制。本发明在不改变等离子体源参数的情况下改变输出的等离子体密度。改变的趋势可由使用者在最高不超过等离子体源所达到最大等离子体密度的范围内预先设定，并且可以迅速进行1～2个数量级大小的密度改变。

公开(公告)号：CN101453821A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200710195516.6

申请日：2007-12-04

Applicant: 北京卫星环境工程研究所

Inventor： 刘业楠 ,  任兆杏 ,  冯伟泉 ,  徐焱林 ,  王志浩 ,  杨勇 ,  聂翔宇

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/34

Abstract: 本发明是通过在等离子体源出口处增加一套调节装置，来实现等离子体源参数不变的情况下改变输出的等离子体密度。其原理是：等离子体扩散到达密度调节装置的多孔圆盘处，多孔圆盘有对应不同密度的孔栏，只有通过正对孔栏位置的等离子体可以通过。通过调整圆盘正对等离子体源的孔栏，就可控制使不同的孔栏挡在等离子体源输出出口处，从而进行等离子体密度的控制。本发明在不改变等离子体源参数的情况下改变输出的等离子体密度。改变的趋势可由使用者在最高不超过等离子体源所达到最大等离子体密度的范围内预先设定，并且可以迅速进行1～2个数量级大小的密度改变。