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公开(公告)号：CN106504982A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510563998.0
申请日：2015-09-07
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/04 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/0475 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种基片的刻蚀方法，涉及半导体技术领域，能够消除图形底部与侧壁相接处的微沟槽，提高器件的可靠性。该刻蚀方法包括以预定刻蚀气体在预定工艺压力、预定上电极射频功率和预定冷却器温度下对基片进行刻蚀的步骤；预定刻蚀气体包括第一刻蚀气体和第二刻蚀气体，第一刻蚀气体为能够与基片发生化学反应的气体，第二刻蚀气体为不与第一刻蚀气体、基片及第一刻蚀气体与基片的反应生成物发生化学反应的气体；所述预定冷却器温度大于0℃。
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公开(公告)号：CN105702569A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410708652.0
申请日：2014-11-27
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/04 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：步骤1：在基片上形成金属材料层；步骤2：对所述金属材料层进行构图工艺以形成第一图形；步骤3：以具有所述第一图形的金属材料层为掩膜，对所述基片进行干法刻蚀；步骤4：去除所述基片上剩余的所述金属材料层。在本发明所提供的刻蚀方法中，利用金属材料制成对基片进行刻蚀时所需的掩膜，与惯用的光刻胶掩膜层相比，金属掩膜层具有较大的硬度，因此，所述第一图形与所述基片之间具有较大的刻蚀选择比，从而使得具有所述第一图形的金属材料层不容易被刻蚀气体刻蚀掉，因此，本发明所提供的刻蚀方法更适于在基片上刻蚀深度较大的沟槽。
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公开(公告)号：CN105336602A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410337031.6
申请日：2014-07-15
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法，包括如下步骤：对多晶硅层表面的掩膜层进行光刻工艺处理得到纵截面为梯形的沟槽；对所述沟槽中暴露出来的多晶硅层进行干法刻蚀处理；干法刻蚀处理包括如下步骤：通入第一气体对所述暴露出来的多晶硅层进行主刻蚀处理直至被刻蚀的多晶硅层的厚度为预设值为止；通入第二气体对剩余的多晶硅层进行过刻蚀处理。本发明的控制多晶硅刻蚀侧壁角度的方法能够克服整体采用HBr气体刻蚀出的图形陡直、角度的调节不灵活的缺陷，获得倾斜角度较小的侧壁，进一步的主刻蚀处理中刻蚀速率较快，而在过刻蚀处理中刻蚀速率相对较慢，这样既提高了整体刻蚀速度，又保护了下层的SiO2不被破坏。
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公开(公告)号：CN105336671A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410336706.5
申请日：2014-07-15
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供了一种硅通孔的深孔底部开窗刻蚀方法，包括如下步骤：沉积金属铝在晶圆表面和深孔侧壁的电隔离层上；进行深孔底部电隔离层的干法刻蚀，包括如下两步：氧化步骤，进行金属铝氧化反应形成三氧化二铝；刻蚀步骤，采用工艺气体进行刻蚀；重复氧化步骤和刻蚀步骤，直至完全去除深孔底部的电隔离层；去除晶圆表面的电隔离层上剩余的三氧化二铝和铝。本发明的硅通孔的深孔底部开窗刻蚀方法，方法设计简单合理，采用简单的薄膜沉积，氧化和刻蚀技术，获得很高的电隔离层/掩膜刻蚀选择比。
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公开(公告)号：CN105789041A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410815145.7
申请日：2014-12-24
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 周娜
IPC: H01L21/306 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种对BiSbTe基片进行刻蚀的刻蚀方法，其中，所述刻蚀方法包括：将形成有掩膜图形的BiSbTe基片放入刻蚀腔中；利用刻蚀气体对形成有掩模图形的BiSbTe基片进行刻蚀，所述刻蚀气体包括能够与所述BiSbTe基片反应的化学刻蚀气体。本发明所提供的刻蚀方法为干法刻蚀，与湿法刻蚀相比，可以更精确地在BiSbTe基片上形成所需的图形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105470193A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410456704.X
申请日：2014-09-09
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种金属钼材料的刻蚀方法。该刻蚀方法包括以下步骤：在金属钼材料上形成刻蚀掩膜；使用Cl2作为刻蚀气体，对金属钼材料进行刻蚀。通过本发明实施例的刻蚀方法，可以获得较高的刻蚀选择比，节约了光刻胶的用量，提高了刻蚀效率。
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公开(公告)号：CN105719965A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410742698.4
申请日：2014-12-04
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 周娜
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅基片的刻蚀方法，该刻蚀方法包括：S1、在所述基片表面形成掩膜图形，所述掩膜图形包括第一槽；S2、对所述基片进行降温，并向工艺腔内通入沉积工艺气体，以在所述第一槽的侧壁和底部形成钝化层；S3、对所述基片进行升温，并向所述工艺腔内通入主刻蚀气体以对所述第一槽的底部进行刻蚀；其中，所述步骤S2和所述步骤S3交替进行，直至所述基片上对应于所述第一槽的位置形成具有预定深宽比的第二槽为止。本发明还提供一种刻蚀设备。所述刻蚀设备结构简单、成本较低，利用所述刻蚀设备执行本发明所提供的刻蚀方法刻蚀二氧化硅基片可以降低刻蚀工艺的成本。
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公开(公告)号：CN105428306A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201410449745.6
申请日：2014-09-04
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供了一种通孔底部阻挡层的刻蚀方法，包括以下步骤：向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启上电极电源和下电极电源，以去除基片上位于通孔底部的阻挡层；其中，刻蚀气体包括氧气和含氟类气体，且氧气的气流量大于含氟类气体的气流量；同时，反应腔室的腔室压力、下电极电源的下电极功率和基片温度的设置方式为：通过降低腔室压力、下电极功率和基片温度，以避免在基片表面上产生裂缝。本发明提供的通孔底部阻挡层的刻蚀方法，可以避免在基片的表面上产生裂缝，因而可以降低了后道工艺沉积金属层后与晶圆直接接触造成短路的风险，从而可以提高良品率和产能。
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公开(公告)号：CN106960812A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201610013082.2
申请日：2016-01-08
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/311 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/768 , B81C1/00 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供的斜孔刻蚀方法，其包括以下步骤：横向刻蚀步骤，以进行各向同性刻蚀为主，扩大斜孔顶部的开口，同时控制斜孔侧壁的倾斜角度范围；深度刻蚀步骤，以进行各向异性刻蚀为主，以在增加斜孔的深度的同时，微调斜孔侧壁的倾斜角度及粗糙度。本发明提供的斜孔刻蚀方法，其可以在保证获得理想斜孔的倾斜角度和形貌的前提下，解决侧壁顶部出现凹陷的问题。
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公开(公告)号：CN105470104A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410456701.6
申请日：2014-09-09
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种刻蚀方法，用以去除孔底部的绝缘层，包括以下步骤：对孔底部进行刻蚀；采用第一清理气体，在第一压力和第一偏压射频功率的条件下对孔进行第一等离子体清理；以及采用第二清理气体，在第二压力和第二偏压射频功率的条件下对孔进行第二等离子体清理，其中，第一压力大于第二压力，第一偏压射频功率小于第二偏压射频功率。本发明实施例的刻蚀方法具有简单易行、得到的孔表面粗糙度低且损伤少等优点。
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