制备多晶的直流还原系统中的多路斩波器电源系统

    公开(公告)号:CN101860213B

    公开(公告)日:2012-04-25

    申请号:CN201010163163.3

    申请日:2010-04-29

    Abstract: 一种制备多晶的直流还原系统中的多路斩波器电源系统,涉及用多路斩波器模块进行串并联工作制备多晶还原设备的电源。目的是实现直流还原系统中的多路斩波器模块的并联运行;模块化的斩波器直流电源系统在要求较大电流供电时无需另外增加一台大功率斩波器,大大减小电源系统的体积,成本降低,工作的可靠性。该系统由多路斩波器调压模块组成,需要独立调压时斩波器模块U1~Un分别单独给硅棒负载R1~Rn供电;需要并联调压时斩波器模块U1~Un输出端的正极短接,即U1+,U2+,…,Un+连接在一起,输出端的负极短接,即U1-,U2-,…,Un-连接在一起,此时多路斩波器模块并联为R1,R2,…,Rn串联后的负载提供能量。

    一种制备多晶硅的直流还原电源

    公开(公告)号:CN102624253A

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN201210074824.4

    申请日:2012-03-20

    CPC classification number: Y02B70/126

    Abstract: 本发明公开了电路设计技术领域中的一种制备多晶硅的直流还原电源,用以解决传统多晶硅制备过程中还原电源存在的电能质量问题。该直流还原电源包括移相整流变压器和直流斩波变换器;移相整流变压器的初级绕组采用三角形连接方式,移相整流变压器的次级绕组之间移相20度且携带一组二极管整流单元;直流斩波变换器由高频直流斩波器组构成,每组高频直流斩波器包括第一斩波电路、第二斩波电路、第三斩波电路、第一切换开关组、第二切换开关组、第三切换开关组、第四切换开关组、第一二极管和第二二极管;直流斩波变换器中斩波电路的数量与所述直流还原电源的负载数量一致。本发明解决了传统多晶硅制备过程中还原电源存在的电能质量问题。

    制备多晶的直流还原系统中的多路斩波器电源系统

    公开(公告)号:CN101860213A

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN201010163163.3

    申请日:2010-04-29

    Abstract: 一种制备多晶的直流还原系统中的多路斩波器电源系统,涉及用多路斩波器模块进行串并联工作制备多晶还原设备的电源。目的是实现直流还原系统中的多路斩波器模块的并联运行;模块化的斩波器直流电源系统在要求较大电流供电时无需另外增加一台大功率斩波器,大大减小电源系统的体积,成本降低,工作的可靠性。该系统由多路斩波器调压模块组成,需要独立调压时斩波器模块U1~Un分别单独给硅棒负载R1~Rn供电;需要并联调压时斩波器模块U1~Un输出端的正极短接,即U1+,U2+,…,Un+连接在一起,输出端的负极短接,即U1-,U2-,…,Un-连接在一起,此时多路斩波器模块并联为R1,R2,…,Rn串联后的负载提供能量。

    一种输出电流断续状态下斩波器的平均电流采样方法

    公开(公告)号:CN101762738A

    公开(公告)日:2010-06-30

    申请号:CN201010003543.0

    申请日:2010-01-08

    Abstract: 本发明公开了电路控制技术领域中的一种输出电流断续状态下斩波器输出电流平均值采样的方法。该方法的技术方案是:已知斩波器开关管工作的开关频率等基本参数,在给定占空比D1的情况下采样斩波器的输入电压和输出电压,并对输出电流上升区间中点处的电流值Is进行采样。测得在输出电流断续状态下斩波器的输入电压值、输出电压值以及输出电流上升区间中点处的电流值之后,通过一定的算法,即可计算出斩波器在输出电流断续状态下的平均电流值。这种方法能有效地提高斩波器平均电流的采用精度,大大提高斩波器的工作性能。

    制备多晶硅的直流还原系统中大电流并联开关的连接方式

    公开(公告)号:CN101950961B

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:CN201010125520.7

    申请日:2010-03-17

    Abstract: 本发明公开了一种新型制备多晶硅的直流还原系统中大电流并联开关的连接方式。本发明的目的在于克服传统大电流并联开关的连接方式的不足,提出一种新的连接方式。其特征在于:选用3个相同型号的两极开关,1号开关的左极等效为单极开关K1,1号开关的右极和2号开关的左极并联等效为两级开关K2,2号开关的右极和3号开关的左极并联等效为两级开关K3,3号开关的右极等效为单极开关K4。采用这种新型的开关连接方式,开关的连接排既有上进下出,也有下进上出,在实现大电流情况下开关的并联连接的同时,大大简化了设备的连接方式,降低了设备成本。

    制备多晶硅的直流还原系统中大电流并联开关的连接方式

    公开(公告)号:CN101950961A

    公开(公告)日:2011-01-19

    申请号:CN201010125520.7

    申请日:2010-03-17

    Abstract: 本发明公开了一种新型制备多晶硅的直流还原系统中大电流并联开关的连接方式。本发明的目的在于克服传统大电流并联开关的连接方式的不足,提出一种新的连接方式。其特征在于:选用3个相同型号的两极开关,1号开关的左极等效为单极开关K1,1号开关的右极和2号开关的左极并联等效为两级开关K2,2号开关的右极和3号开关的左极并联等效为两级开关K3,3号开关的右极等效为单极开关K4。采用这种新型的开关连接方式,开关的连接排既有上进下出,也有下进上出,在实现大电流情况下开关的并联连接的同时,大大简化了设备的连接方式,降低了设备成本。

    一种IGBT驱动短路保护阈值设置方法

    公开(公告)号:CN104539275A

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201410844291.2

    申请日:2014-12-30

    Abstract: 本发明公开一种IGBT驱动短路保护阈值设置方法,由比较器、外接电源、电阻R1、电阻R2、二极管及IGBT组成电网络,实时监测Vce电压;比较器反向端连接电位器;确定IGBT集极电流Ic的保护设定值;换算对应的集射极电压Vce设定值;通过调节电位器设定IGBT短路保护阈值电压。在不需要更换元器件的情况下,直接通过调节电位器设定保护阈值电压,从而调整IGBT的短路保护值。电压值的设定也不需要事先知道驱动芯片内部集成的恒流源的大小,不受内部恒流源的影响。

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