制备多晶硅的直流还原系统中大电流并联开关的连接方式

    公开(公告)号:CN101950961B

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:CN201010125520.7

    申请日:2010-03-17

    Abstract: 本发明公开了一种新型制备多晶硅的直流还原系统中大电流并联开关的连接方式。本发明的目的在于克服传统大电流并联开关的连接方式的不足,提出一种新的连接方式。其特征在于:选用3个相同型号的两极开关,1号开关的左极等效为单极开关K1,1号开关的右极和2号开关的左极并联等效为两级开关K2,2号开关的右极和3号开关的左极并联等效为两级开关K3,3号开关的右极等效为单极开关K4。采用这种新型的开关连接方式,开关的连接排既有上进下出,也有下进上出,在实现大电流情况下开关的并联连接的同时,大大简化了设备的连接方式,降低了设备成本。

    制备多晶硅的直流还原系统中大电流并联开关的连接方式

    公开(公告)号:CN101950961A

    公开(公告)日:2011-01-19

    申请号:CN201010125520.7

    申请日:2010-03-17

    Abstract: 本发明公开了一种新型制备多晶硅的直流还原系统中大电流并联开关的连接方式。本发明的目的在于克服传统大电流并联开关的连接方式的不足,提出一种新的连接方式。其特征在于:选用3个相同型号的两极开关,1号开关的左极等效为单极开关K1,1号开关的右极和2号开关的左极并联等效为两级开关K2,2号开关的右极和3号开关的左极并联等效为两级开关K3,3号开关的右极等效为单极开关K4。采用这种新型的开关连接方式,开关的连接排既有上进下出,也有下进上出,在实现大电流情况下开关的并联连接的同时,大大简化了设备的连接方式,降低了设备成本。

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