公开(公告)号：CN110407585A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910833225.8

申请日：2019-09-04

申请人： 北京交通大学

发明人： 贾汶哲 ,  马朝阳 ,  郭锋 ,  张鹏程 ,  李世波 ,  黄振莺 ,  周洋

IPC分类号： C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  C04B38/00 ,  C01B21/06

摘要： 一种N缺位非化学计量比高纯Ti2AlN MAX粉体材料及其制备方法。本发明的镁基复合材料成分如下：Ti2AlN中的N含量不在是1，而是可处于0.85和1.0区间内，如摘要图所示，a和c轴的晶格参数可以通过N含量来进行调节；其N缺位的Ti2AlN陶瓷显微结构为疏松多孔，而且Ti2AlN的晶粒大小可以调控。制备方法：(1)配料：将商用的Ti粉,Al粉and AlN粉按照Ti:Al:N＝2:(1.05-1.0):(0.85-1.0)的比例进行配比；(2)混料；(3)压坯；(4)烧结温度升在1400℃-1480℃，保温在10-40mins；(5)破碎及球磨；(6)干燥并过筛。

公开(公告)号：CN113560542A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110800174.6

申请日：2021-07-15

申请人： 北京交通大学

发明人： 于文波 ,  张鹏程 ,  陈宛彤 ,  马翼虎 ,  黄振莺 ,  李翠伟 ,  李世波 ,  周洋

IPC分类号： B22D23/04 ,  C22C1/10 ,  C22C23/00 ,  C22C29/16 ,  C22C32/00

摘要： 本发明公布了一种增强相可控的双连续相Ti2AlN/Mg基复合材料及其无压浸渗制备方法。该材料中N缺位的Ti2AlNx(x＝0.9‑1)的体积含量为30％～70％，其余为Mg。该材料为Ti2AlN与Mg两相各自呈三维空间连续网络交叉分布，二者界面结合牢固。该材料的制备方法：Al2O3坩埚中依次放入Mg块，多孔Ti2AlNx(x＝0.9‑1.0)预制体和Mg块，将Al2O3坩埚放入真空烧结炉中，Ar气保护下10℃/min的速率升温到750℃，保温90min后随炉冷却至室温。该材料具有轻量化、减震耐磨性能好等显著特点，可应用于航空航天、汽车零部件、电子产品等领域。