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公开(公告)号：CN106653094B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201610772489.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种消除高安全智能卡芯片数据加解密对非易失存储器可靠性测试影响的方法。针对数据加密后写入存储器的物理数据与编程预期数据不一致，在测试COS中嵌入预加解密函数，对数据进行预加解密处理，保证写入存储器的物理数据与预期数据一致。本发明提出的非易失存储器物理数据模型测试方法，能够覆盖典型物理失效模式，有效地考核高安全智能卡芯片中非易失存储器的本征可靠性水平。
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公开(公告)号：CN107610738A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710906554.1
申请日：2017-09-29
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 一种高效的存储器失效分析方法，可以实现对存储器单元进行可靠性失效分析图形显示的可视化分析方法，能够高效的分析存储器单元在可靠性评测时出现的物理地址、失效方式等，帮助快速定位产品的存储器失效原因；本发明仅提供一种存储器可靠性失效分析的图形化方法，并不限于开发者如何模拟和显示存储器的物理地址分配，依靠在图中显示出存储单元失效的位置以及形式，直观的显示出失效物理地址及分布。
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公开(公告)号：CN112435706B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202011226061.1
申请日：2020-11-05
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法。针对不同应用领域对非易失性存储器擦写寿命要求不同的情况，在芯片可靠性认证中加入应用级擦写寿命测试，尽可能多地覆盖应用场景，统计和分析应用场景中的应用文件和应用数据更新频次，模拟应用中的存储空间分配和擦写寿命频次，测试非易失性存储器应用级擦写寿命。本发明提出的应用级擦写寿命测试方法，有效地评价非易失性存储器的应用级可靠性水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112435706A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011226061.1
申请日：2020-11-05
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器应用级擦写寿命评价方法。针对不同应用领域对非易失性存储器擦写寿命要求不同的情况，在芯片可靠性认证中加入应用级擦写寿命测试，尽可能多地覆盖应用场景，统计和分析应用场景中的应用文件和应用数据更新频次，模拟应用中的存储空间分配和擦写寿命频次，测试非易失性存储器应用级擦写寿命。本发明提出的应用级擦写寿命测试方法，有效地评价非易失性存储器的应用级可靠性水平。
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公开(公告)号：CN117169679A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310876987.2
申请日：2023-07-18
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种高安全芯片的老化炉可靠性测试方法。测试流程主要包括：高安全芯片没有测试模式，可靠性测试中无法兼容老化炉的测试环境。将高安全芯片功能测试向量的测试启动指令进行仿真并生成时序波形；时序波形经过格式转换后生成老化炉测试向量；样品下载芯片功能测试向量，进入下载态；老化炉测试向量启动后芯片上电自动执行功能测试向量，指令执行循环次数和失效信息等将记录在芯片闪存存储空间中；老化测试中间读点或测试完成后，执行功能测试程序，读出指令执行循环次数和失效信息等，与预期数据进行读校验通过后，芯片执行功能向量退出下载态，并完成FT测试。重复执行以上操作，最终完成高安全芯片老化炉可靠性测试。
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公开(公告)号：CN107766187A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710948216.4
申请日：2017-10-12
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F11/22
CPC classification number: G06F11/221 , G06F11/2221 , G06F11/2247 , G06F11/2273
Abstract: 本发明公开了一种支持多USB接口设备的可靠性同测装置及方法，该装置包括：多通道可编程电源控制模块、USB多通道连接模块、多通道电流监控模块、微控制器和USB接口插件。所述的支持多USB接口设备可靠性同测装置，能够在-40℃和125℃下工作，具有能够控制USB接口设备的工作电源、控制USB接口设备与PC机的切断和连接以及在USB接口设备工作过程中检测每个USB接口设备的工作电流的能力，具有对多USB接口设备实现高低温下长时通讯的可靠性同测能力。
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公开(公告)号：CN106653094A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610772489.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
CPC classification number: G11C29/50016 , G11C29/18
Abstract: 本发明公开了一种消除高安全智能卡芯片数据加解密对非易失存储器可靠性测试影响的方法。针对数据加密后写入存储器的物理数据与编程预期数据不一致，在测试COS中嵌入预加解密函数，对数据进行预加解密处理，保证写入存储器的物理数据与预期数据一致。本发明提出的非易失存储器物理数据模型测试方法，能够覆盖典型物理失效模式，有效地考核高安全智能卡芯片中非易失存储器的本征可靠性水平。
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公开(公告)号：CN207516987U
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201721318310.3
申请日：2017-10-12
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G06F11/22
Abstract: 本实用新型公开了一种支持多USB接口设备的可靠性同测装置，该装置包括：多通道可编程电源控制模块、USB多通道连接模块、多通道电流监控模块、微控制器和USB接口插件。所述的支持多USB接口设备可靠性同测装置，能够在-40℃和125℃下工作，具有能够控制USB接口设备的工作电源、控制USB接口设备与PC机的切断和连接以及在USB接口设备工作过程中检测每个USB接口设备的工作电流的能力，具有对多USB接口设备实现高低温下长时通讯的可靠性同测能力。
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