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公开(公告)号：CN117169679A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310876987.2
申请日：2023-07-18
Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种高安全芯片的老化炉可靠性测试方法。测试流程主要包括：高安全芯片没有测试模式，可靠性测试中无法兼容老化炉的测试环境。将高安全芯片功能测试向量的测试启动指令进行仿真并生成时序波形；时序波形经过格式转换后生成老化炉测试向量；样品下载芯片功能测试向量，进入下载态；老化炉测试向量启动后芯片上电自动执行功能测试向量，指令执行循环次数和失效信息等将记录在芯片闪存存储空间中；老化测试中间读点或测试完成后，执行功能测试程序，读出指令执行循环次数和失效信息等，与预期数据进行读校验通过后，芯片执行功能向量退出下载态，并完成FT测试。重复执行以上操作，最终完成高安全芯片老化炉可靠性测试。
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