公开(公告)号：CN115332191A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202110505340.X

申请日：2021-05-10

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 徐烨锋 ,  王修垒 ,  王红晓

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明公开了一种Low‑K wafer结构及其工艺方法，可以用于实现机械切割即纯双刀或单刀减划。本结构的特色主要有：1)与现有wafer结构相比，支持在现有流片制程的基础上加入新的工艺，在wafer表面增加一层新结构，即：wafer完成正常流片后，进行电性测试前或者完成电性测试后，在wafer表面通过多次涂布或淀积，覆盖一定厚度(0～100um)的薄膜(例如聚酰亚胺)包含切割道的部分，并结合曝光、刻蚀，烘烤等工艺，将后续封装和测试所需用到的pattern上的薄膜去除，形成一层新的保护膜层即PI层。2)添加PI层的新型Low‑K wafer结构，可以实现机械切割即纯双刀或单刀减划。

公开(公告)号：CN209626211U

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201920266155.8

申请日：2019-03-04

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 王修垒 ,  吴彩峰 ,  徐烨锋

IPC: H01L23/498 ,  G06K19/077

Abstract: 本实用新型公开了一种增强型双界面智能卡用载带。双界面智能卡用载带为带状，两个有效表面分别称作接触面、包封面。接触面通过蚀刻线被分割成8个或者6个区域，这些区域为GB/T 16649.2《识别卡带触点的集成电路卡第2部分：触点的尺寸和位置》规定的触点。包封面包括非接触线路、焊盘，用于装载芯片及制作卡片时连接卡片中的线圈。本实用新型的特征在于包封面的非接触线路设计——非接触线路增加了支路，这个措施可以减少双界面智能卡的加工、使用过程中的失效。

公开(公告)号：CN215220699U

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202120983468.2

申请日：2021-05-10

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 徐烨锋 ,  王修垒 ,  王红晓

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/304

Abstract: 本实用新型公开了一种Low‑K wafer结构，可以用于实现机械切割即纯双刀或单刀减划。本结构的特色主要有：1)与现有wafer结构相比，支持在现有流片制程的基础上加入新的工艺，在wafer表面增加一层新结构，即：wafer完成正常流片后，进行电性测试前或者完成电性测试后，在wafer表面通过多次涂布或淀积，覆盖一定厚度(0～100um)的薄膜(例如聚酰亚胺)包含切割道的部分，并结合曝光、刻蚀，烘烤等工艺，将后续封装和测试所需用到的pattern上的薄膜去除，形成一层新的保护膜层即PI层。2)添加PI层的新型Low‑K wafer结构，可以实现机械切割即纯双刀或单刀减划。