公开(公告)号：CN115332191A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202110505340.X

申请日：2021-05-10

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 徐烨锋 ,  王修垒 ,  王红晓

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明公开了一种Low‑K wafer结构及其工艺方法，可以用于实现机械切割即纯双刀或单刀减划。本结构的特色主要有：1)与现有wafer结构相比，支持在现有流片制程的基础上加入新的工艺，在wafer表面增加一层新结构，即：wafer完成正常流片后，进行电性测试前或者完成电性测试后，在wafer表面通过多次涂布或淀积，覆盖一定厚度(0～100um)的薄膜(例如聚酰亚胺)包含切割道的部分，并结合曝光、刻蚀，烘烤等工艺，将后续封装和测试所需用到的pattern上的薄膜去除，形成一层新的保护膜层即PI层。2)添加PI层的新型Low‑K wafer结构，可以实现机械切割即纯双刀或单刀减划。

公开(公告)号：CN215220699U

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202120983468.2

申请日：2021-05-10

Applicant: 北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 徐烨锋 ,  王修垒 ,  王红晓

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/304

Abstract: 本实用新型公开了一种Low‑K wafer结构，可以用于实现机械切割即纯双刀或单刀减划。本结构的特色主要有：1)与现有wafer结构相比，支持在现有流片制程的基础上加入新的工艺，在wafer表面增加一层新结构，即：wafer完成正常流片后，进行电性测试前或者完成电性测试后，在wafer表面通过多次涂布或淀积，覆盖一定厚度(0～100um)的薄膜(例如聚酰亚胺)包含切割道的部分，并结合曝光、刻蚀，烘烤等工艺，将后续封装和测试所需用到的pattern上的薄膜去除，形成一层新的保护膜层即PI层。2)添加PI层的新型Low‑K wafer结构，可以实现机械切割即纯双刀或单刀减划。