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公开(公告)号:CN101456731B
公开(公告)日:2013-08-21
申请号:CN200810167339.5
申请日:2008-10-22
申请人: 凯米特电子公司
发明人: 迈克尔·S·兰德尔 , 科里·安东尼亚德斯 , 丹尼尔·E·巴伯 , X·徐 , 詹姆斯·比森 , 包斯卡·潘瑟卢 , 阿比吉特·古拉夫 , 汤姆·普尔 , 阿齐祖丁·塔杰丁 , 伊恩·伯恩
CPC分类号: C04B35/49 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3267 , C04B2235/3275 , C04B2235/3281 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , H01G4/1209 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要: 本发明涉及一种C0G多层陶瓷电容器,该多层陶瓷电容器中的电介质陶瓷合成物包括化学式为{[(CaO)t(SrO)1-t]m[(ZrO2)v(TiO2)1-v]}1-s-xAsEx的合成物,其中:A是过渡金属氧化物;E是从Ge、Si、Ga及其组合中选出的元素的氧化物;m取0.98至1.02;t取0.50至0.90;v取0.8至1.0;s和x从包括a)0≤x≤0.08,0.0001≤s≤0.043并且x≥1.86s;和b)0≤x≤0.0533,0.0001≤s≤0.08并且x≤0.667s的组中选择。
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公开(公告)号:CN101456731A
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN200810167339.5
申请日:2008-10-22
申请人: 凯米特电子公司
发明人: 迈克尔·S·兰德尔 , 科里·安东尼亚德斯 , 丹尼尔·E·巴伯 , X·徐 , 詹姆斯·比森 , 包斯卡·潘瑟卢 , 阿比吉特·古拉夫 , 汤姆·普尔 , 阿齐祖丁·塔杰丁 , 伊恩·伯恩
CPC分类号: C04B35/49 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3267 , C04B2235/3275 , C04B2235/3281 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , H01G4/1209 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要: 本发明涉及一种C0G多层陶瓷电容器,该多层陶瓷电容器中的电介质陶瓷合成物包括化学式为{[(CaO)t(SrO)1-t]m[(ZrO2)v(TiO2)1-v]}1-s-xAsEx的合成物,其中:A是过渡金属氧化物;E是从Ge、Si、Ga及其组合中选出的元素的氧化物;m取0.98至1.02;t取0.50至0.90;v取0.8至1.0;s和x从包括a)0≤x≤0.08,0.0001≤s≤0.043并且x≥1.86s;和b)0≤x≤0.0533,0.0001≤s≤0.08并且x≤0.667s的组中选择。
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