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公开(公告)号：CN101717939A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910179043.X
申请日：2009-10-09
Applicant: 关东化学株式会社
CPC classification number: C09K13/02 , H01L21/02052 , H01L21/30608
Abstract: 作为半导体基板或玻璃基板的清洗液或蚀刻液，采用氨、四甲基氢氧化铵以及氢氧化钠等水溶液，但由于碱成分中的金属杂质在处理过程中会吸附于基板表面，因此需要除去吸附的金属杂质的工序以作为后续工序。另外，在清洗液的情况下，虽然对微粒的除去有效果，但由于金属杂质无法清洗，因此需要进行酸清洗，工序变得复杂。本发明提供一种碱性水溶液的、无金属杂质的吸附且还具有清洗能力的基板处理用水溶液组合物。利用由碱成分和特定螯合剂组合而成的基板处理用碱性水溶液，能够防止金属杂质在基板上的吸附，进而将吸附在基板上的金属清洗除去。根据需要，还可以加入金属防蚀剂和表面活性剂，抑制金属材料的腐蚀或者提高与基板的亲和性以及提高微粒除去能力。
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公开(公告)号：CN110140196B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201780078862.8
申请日：2017-12-26
Applicant: 关东化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/32 , C11D7/36 , C11D17/08 , C23G1/20
Abstract: 本发明提供在半导体元件等电子器件的制造工序中的实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗中有用的清洗液组合物。本发明的清洗液组合物是一种用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以上的含氮杂环式单环芳香族化合物，所述含氮杂环式单环芳香族化合物具有1个以上的羧基或酯基，而具有1个以上的氨基的情况下仅具有与含氮杂环直接结合的氨基。所述清洗液组合物中氢离子浓度(pH)为8～12。
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公开(公告)号：CN105122429B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201480021935.6
申请日：2014-04-07
Applicant: 关东化学株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供半导体元件等电子器件的制造工序中，对实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗有用的清洗液组合物。本发明涉及用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以上的含氮原子的杂环式单环芳香族化合物，氢离子浓度(pH)为8～11。
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公开(公告)号：CN110140196A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201780078862.8
申请日：2017-12-26
Applicant: 关东化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/32 , C11D7/36 , C11D17/08 , C23G1/20
Abstract: 本发明提供在半导体元件等电子器件的制造工序中的实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗中有用的清洗液组合物。本发明的清洗液组合物是一种用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以上的含氮杂环式单环芳香族化合物，所述含氮杂环式单环芳香族化合物具有1个以上的羧基或酯基，而具有1个以上的氨基的情况下仅具有与含氮杂环直接结合的氨基。所述清洗液组合物中氢离子浓度(pH)为8～12。
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公开(公告)号：CN105122429A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480021935.6
申请日：2014-04-07
Applicant: 关东化学株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供半导体元件等电子器件的制造工序中，对实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗有用的清洗液组合物。本发明涉及用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以上的含氮原子的杂环式单环芳香族化合物，氢离子浓度(pH)为8～11。
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