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公开(公告)号：CN103014634B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210552521.9
申请日：2012-12-18
申请人： 兰州大成科技股份有限公司 , 兰州交大国家绿色镀膜工程中心有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种制备铍铜合金薄板的方法，更特别地说，是指一采用连续多弧离子镀物理气相沉积法制备高质量的铍铜合金薄板的方法。一种采用连续多弧离子镀物理气相沉积制备铍铜合金薄板的方法，是以纯Be金属靶或高铍含量铍铜合金靶为阴极，以纯铜带为阳极，采用多弧离子镀物理气相沉积法在纯铜带单面或双面沉积结合良好的纯Be或富Be膜；然后进行高温扩散处理，使Be原子向内扩散渗入纯铜基体，直到铜带中的含Be量达到1～3wt.%，获得具有优异机械性能和导电性能的Cu–1～3wt.%Be合金带材。本发明方法简单易行，工作效率高，制备过程节能环保，质量可控，极其适合工业化应用。
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公开(公告)号：CN101781794A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810189826.1
申请日：2008-12-30
申请人： 兰州大成科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及多晶硅薄膜的制备尤其涉及太阳能电池用的低掺杂率多晶硅薄膜的制备方法。一种低掺杂率多晶硅薄膜的制备方法，包括如下步骤：1.预处理，2.铝膜制备，3.非晶硅薄膜制备，4.后续退火处理，制备低掺杂率的多晶硅薄膜。经上述本发明制备的多晶硅薄膜，其铝掺杂浓度为2.6×1016/cm3，而空穴载流子的浓度为2×1018/cm3，与常规ACC过程制备的poly-si相比，明显降低了掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN102978569B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210551396.X
申请日：2012-12-18
申请人： 兰州大成科技股份有限公司 , 兰州交大国家绿色镀膜工程中心有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种制备Fe-Si薄板的方法，更特别地说，是指一采用连续多弧离子镀物理气相沉积法制备高质量的Fe-5.5～6.5wt.% Si-0.3～1.0wt.% Al合金薄板的方法。一种采用连续多弧离子镀物理气相沉积制备Fe-5.5～6.5wt.%Si-0.3～1.0wt.%Al合金薄板的方法，是以熔铸硅铝合金靶为阴极，以低硅钢带为阳极，采用多弧离子镀物理气相沉积法在低硅钢带单面或双面沉积结合良好的富Si硅铝膜；然后进行高温扩散处理，使Si、Al原子向内扩散渗入低硅钢基体，直到钢带中的含Si量达到5.5～6.5wt.%，含Al量达到0.3～1.0wt.%，获得具有优异软磁性能的高硅钢带材，满足高性能铁芯材料使用需求。本发明的方法沉积速率快、工作效率高，制备过程质量可控、节能环保无污染，因此极其适合工业化应用。
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公开(公告)号：CN102965634A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210551335.3
申请日：2012-12-18
申请人： 兰州大成科技股份有限公司 , 兰州交大国家绿色镀膜工程中心有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种制备铍铜合金薄板的方法，更特别地说，是指一采用连续磁控溅射物理气相沉积法制备高质量的铍铜合金薄板的方法。一种采用连续磁控溅射物理气相沉积制备铍铜合金薄板的方法，是以纯Be金属靶或高铍含量铍铜合金靶为阴极，以纯铜带为阳极，采用磁控溅射物理气相沉积法在纯铜带单面或双面沉积结合良好的纯Be或富Be膜；然后进行高温扩散处理，使Be原子向内扩散渗入纯铜基体，直到铜带中的含Be量达到1～3wt.%，获得具有优异机械性能和导电性能的Cu–1～3wt.%Be合金带材。本发明方法简单易行，工作效率高，制备过程节能环保，质量可控，极其适合工业化应用。
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公开(公告)号：CN101781794B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810189826.1
申请日：2008-12-30
申请人： 兰州大成科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及多晶硅薄膜的制备尤其涉及太阳能电池用的低掺杂率多晶硅薄膜的制备方法。一种低掺杂率多晶硅薄膜的制备方法，包括如下步骤：1.预处理，2.铝膜制备，3.非晶硅薄膜制备，4.后续退火处理，制备低掺杂率的多晶硅薄膜。经上述本发明制备的多晶硅薄膜，其铝掺杂浓度为2.6×1016/cm3，而空穴载流子的浓度为2×1018/cm3，与常规ACC过程制备的poly-si相比，明显降低了掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN102978569A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210551396.X
申请日：2012-12-18
申请人： 兰州大成科技股份有限公司 , 兰州交大国家绿色镀膜工程中心有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种制备Fe-Si薄板的方法，更特别地说，是指一采用连续多弧离子镀物理气相沉积法制备高质量的Fe-5.5～6.5wt.%Si-0.3～1.0wt.%Al合金薄板的方法。一种采用连续多弧离子镀物理气相沉积制备Fe-5.5～6.5wt.%Si-0.3～1.0wt.%Al合金薄板的方法，是以熔铸硅铝合金靶为阴极，以低硅钢带为阳极，采用多弧离子镀物理气相沉积法在低硅钢带单面或双面沉积结合良好的富Si硅铝膜；然后进行高温扩散处理，使Si、Al原子向内扩散渗入低硅钢基体，直到钢带中的含Si量达到5.5～6.5wt.%，含Al量达到0.3～1.0wt.%，获得具有优异软磁性能的高硅钢带材，满足高性能铁芯材料使用需求。本发明的方法沉积速率快、工作效率高，制备过程质量可控、节能环保无污染，因此极其适合工业化应用。
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公开(公告)号：CN102965634B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210551335.3
申请日：2012-12-18
申请人： 兰州大成科技股份有限公司 , 兰州交大国家绿色镀膜工程中心有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种制备铍铜合金薄板的方法，更特别地说，是指一采用连续磁控溅射物理气相沉积法制备高质量的铍铜合金薄板的方法。一种采用连续磁控溅射物理气相沉积制备铍铜合金薄板的方法，是以纯Be金属靶或高铍含量铍铜合金靶为阴极，以纯铜带为阳极，采用磁控溅射物理气相沉积法在纯铜带单面或双面沉积结合良好的纯Be或富Be膜；然后进行高温扩散处理，使Be原子向内扩散渗入纯铜基体，直到铜带中的含Be量达到1～3wt.%，获得具有优异机械性能和导电性能的Cu–1～3wt.%Be合金带材。本发明方法简单易行，工作效率高，制备过程节能环保，质量可控，极其适合工业化应用。
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公开(公告)号：CN103014634A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210552521.9
申请日：2012-12-18
申请人： 兰州大成科技股份有限公司 , 兰州交大国家绿色镀膜工程中心有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种制备铍铜合金薄板的方法，更特别地说，是指一采用连续多弧离子镀物理气相沉积法制备高质量的铍铜合金薄板的方法。一种采用连续多弧离子镀物理气相沉积制备铍铜合金薄板的方法，是以纯Be金属靶或高铍含量铍铜合金靶为阴极，以纯铜带为阳极，采用多弧离子镀物理气相沉积法在纯铜带单面或双面沉积结合良好的纯Be或富Be膜；然后进行高温扩散处理，使Be原子向内扩散渗入纯铜基体，直到铜带中的含Be量达到1～3wt.%，获得具有优异机械性能和导电性能的Cu–1～3wt.%Be合金带材。本发明方法简单易行，工作效率高，制备过程节能环保，质量可控，极其适合工业化应用。
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