公开(公告)号：CN1168119C

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN99108811.5

申请日：1999-06-18

Applicant: 兰州大学

Inventor： 李思渊 ,  何山虎 ,  刘瑞喜 ,  孟雄晖 ,  刘肃 ,  杨建红 ,  姜岩峰 ,  孙志军 ,  王林 ,  马中华 ,  曹磊 ,  马淑萍 ,  芦小莹 ,  任立 ,  杨利成 ,  毕祥林 ,  黄仕琴 ,  薛传明 ,  张明兰 ,  梁元涛

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明公开一种静电感应器件及其制造方法，特别是一种用于电力静电感应器件及其制造方法。本发明是用高阻单晶的衬底材料表面上形成绝缘层，再在绝缘层上刻出第一扩散窗口，以扩散或注入方式形成栅区及栅墙，在所有一次扩散区的表层进行补偿扩散，对衬底正面和背面进行表面杂质浓度控制处理，将栅墙所围成的区域内和部分栅墙上的绝缘层去除后再进行同步外延，最终在此基础上产生芯片的各极，形成一种特殊结构的静电感应器件。

公开(公告)号：CN1278657A

公开(公告)日：2001-01-03

申请号：CN99108811.5

申请日：1999-06-18

Applicant: 兰州大学

Inventor： 李思渊 ,  何山虎 ,  刘瑞喜 ,  孟雄晖 ,  刘肃 ,  杨建红 ,  姜岩峰 ,  孙志军 ,  王林 ,  马中华 ,  曹磊 ,  马淑萍 ,  芦小莹 ,  任立 ,  杨利成 ,  毕祥林 ,  黄仕琴 ,  薛传明 ,  张明兰 ,  梁元涛

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/00

Abstract: 本发明公开一种静电感应器件及其制造方法,特别是一种用于电力静电感应器件及其制造方法。本发明是用高阻单晶的衬底材料表面上形成绝缘层,再在绝缘层上刻出第一扩散窗口,以扩散或注入方式形成栅区及栅墙,在所有一次扩散区的表层进行补偿扩散,对衬底正面和背面进行表面杂质浓度控制处理,将栅墙所围成的区域内和部分栅墙上的绝缘层去除后再进行同步外延,最终在此基础上产生芯片的各极,形成一种特殊结构的静电感应器件。