公开(公告)号：CN1190266A

公开(公告)日：1998-08-12

申请号：CN97115774.X

申请日：1997-09-11

Applicant: 兰州大学

Inventor： 李思渊 ,  杨建红 ,  何山虎 ,  刘肃 ,  刘瑞喜 ,  桑保生 ,  毕祥林 ,  卓肇龙 ,  马淑萍 ,  卢小莹 ,  马中华 ,  杨利成 ,  任立

IPC: H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种固体器件,特别是双极型静电感应器件的制造方法和用这种方法制造的晶体管,以及一种新结构的双极型静电感应器件。本发明的目的通过下述方式实现:首先在衬底材料表面形成绝缘层,然后在绝缘层上刻出第一扩散的窗口,用扩散或注入的方式形成栅区及栅墙,再将部分栅墙上的绝缘层和由栅墙所围成的区域内(即沟道和栅条相间构成的有源区)的绝缘层去除,形成第二扩散窗口,进行第二次扩散,使经第一次扩散所产生的栅区和部分栅墙处的上部分杂质与第二次扩散所掺入的杂质相互补偿,形成具有表面栅和隐埋栅型双重结构特点的复合结构。

公开(公告)号：CN1168119C

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN99108811.5

申请日：1999-06-18

Applicant: 兰州大学

Inventor： 李思渊 ,  何山虎 ,  刘瑞喜 ,  孟雄晖 ,  刘肃 ,  杨建红 ,  姜岩峰 ,  孙志军 ,  王林 ,  马中华 ,  曹磊 ,  马淑萍 ,  芦小莹 ,  任立 ,  杨利成 ,  毕祥林 ,  黄仕琴 ,  薛传明 ,  张明兰 ,  梁元涛

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明公开一种静电感应器件及其制造方法，特别是一种用于电力静电感应器件及其制造方法。本发明是用高阻单晶的衬底材料表面上形成绝缘层，再在绝缘层上刻出第一扩散窗口，以扩散或注入方式形成栅区及栅墙，在所有一次扩散区的表层进行补偿扩散，对衬底正面和背面进行表面杂质浓度控制处理，将栅墙所围成的区域内和部分栅墙上的绝缘层去除后再进行同步外延，最终在此基础上产生芯片的各极，形成一种特殊结构的静电感应器件。

公开(公告)号：CN1278657A

公开(公告)日：2001-01-03

申请号：CN99108811.5

申请日：1999-06-18

Applicant: 兰州大学

Inventor： 李思渊 ,  何山虎 ,  刘瑞喜 ,  孟雄晖 ,  刘肃 ,  杨建红 ,  姜岩峰 ,  孙志军 ,  王林 ,  马中华 ,  曹磊 ,  马淑萍 ,  芦小莹 ,  任立 ,  杨利成 ,  毕祥林 ,  黄仕琴 ,  薛传明 ,  张明兰 ,  梁元涛

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/00

Abstract: 本发明公开一种静电感应器件及其制造方法,特别是一种用于电力静电感应器件及其制造方法。本发明是用高阻单晶的衬底材料表面上形成绝缘层,再在绝缘层上刻出第一扩散窗口,以扩散或注入方式形成栅区及栅墙,在所有一次扩散区的表层进行补偿扩散,对衬底正面和背面进行表面杂质浓度控制处理,将栅墙所围成的区域内和部分栅墙上的绝缘层去除后再进行同步外延,最终在此基础上产生芯片的各极,形成一种特殊结构的静电感应器件。

公开(公告)号：CN1114230C

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN97115774.X

申请日：1997-09-11

Applicant: 兰州大学

Inventor： 李思渊 ,  杨建红 ,  何山虎 ,  刘肃 ,  刘瑞喜 ,  桑保生 ,  毕祥林 ,  卓肇龙 ,  马淑萍 ,  卢小莹 ,  马中华 ,  杨利成 ,  任立

IPC: H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种固体器件，特别是双极型静电感应器件的制造方法和用这种方法制造的晶体管，以及一种新结构的双极型静电感应器件。本发明的目的通过下述方式实现：首先在衬底材料表面形成绝缘层，然后在绝缘层上刻出第一扩散的窗口，用扩散或注入的方式形成栅区及栅墙，再将部分栅墙上的绝缘层和由栅墙所围成的区域内(即沟道和栅条相间构成的有源区)的绝缘层去除，形成第二扩散窗口，进行第二次扩散，使经第一次扩散所产生的栅区和部分栅墙处的上部分杂质与第二次扩散所掺入的杂质相互补偿，形成具有表面栅和隐埋栅型双重结构特点的复合结构。