公开(公告)号：CN1114230C

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN97115774.X

申请日：1997-09-11

Applicant: 兰州大学

Inventor： 李思渊 ,  杨建红 ,  何山虎 ,  刘肃 ,  刘瑞喜 ,  桑保生 ,  毕祥林 ,  卓肇龙 ,  马淑萍 ,  卢小莹 ,  马中华 ,  杨利成 ,  任立

IPC: H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种固体器件，特别是双极型静电感应器件的制造方法和用这种方法制造的晶体管，以及一种新结构的双极型静电感应器件。本发明的目的通过下述方式实现：首先在衬底材料表面形成绝缘层，然后在绝缘层上刻出第一扩散的窗口，用扩散或注入的方式形成栅区及栅墙，再将部分栅墙上的绝缘层和由栅墙所围成的区域内(即沟道和栅条相间构成的有源区)的绝缘层去除，形成第二扩散窗口，进行第二次扩散，使经第一次扩散所产生的栅区和部分栅墙处的上部分杂质与第二次扩散所掺入的杂质相互补偿，形成具有表面栅和隐埋栅型双重结构特点的复合结构。

公开(公告)号：CN1192052A

公开(公告)日：1998-09-02

申请号：CN97115773.1

申请日：1997-09-11

Applicant: 兰州大学

Inventor： 李思渊 ,  何山虎 ,  李寿嵩 ,  唐金科 ,  张秀文 ,  张旗 ,  刘肃 ,  毕祥林 ,  卢小莹 ,  田仁杰

IPC: H01L29/772

Abstract: 本发明公开一种静电感应器件及其制造方法。本发明的器件是在基片的高阻区内所形成的栅条及栅墙之上形成绝缘层,在栅条间的沟道区之上形成源区,且所述的源区被位于栅条上的绝缘层隔开。本发明的方法是在单晶基片上以外延方法形成高阻层,再在所述的高阻层中以注入或扩散杂质形成栅区,再通过氧化和沉积方法形成单晶－介质相间的二元衬底表面,然后在其上用外延形成第二高阻层,即在形成栅区后再在栅墙、栅条及沟道表面以外延方法同步生成二元外延层,其中在栅墙和栅条上方形成多晶层或非晶层,在沟道上方形成单晶层,然后再在单晶层中以注入或扩散方式形成源区,最后再开出引线孔并制做电极、封装制成器件。

公开(公告)号：CN1168119C

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN99108811.5

申请日：1999-06-18

Applicant: 兰州大学

Inventor： 李思渊 ,  何山虎 ,  刘瑞喜 ,  孟雄晖 ,  刘肃 ,  杨建红 ,  姜岩峰 ,  孙志军 ,  王林 ,  马中华 ,  曹磊 ,  马淑萍 ,  芦小莹 ,  任立 ,  杨利成 ,  毕祥林 ,  黄仕琴 ,  薛传明 ,  张明兰 ,  梁元涛

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明公开一种静电感应器件及其制造方法，特别是一种用于电力静电感应器件及其制造方法。本发明是用高阻单晶的衬底材料表面上形成绝缘层，再在绝缘层上刻出第一扩散窗口，以扩散或注入方式形成栅区及栅墙，在所有一次扩散区的表层进行补偿扩散，对衬底正面和背面进行表面杂质浓度控制处理，将栅墙所围成的区域内和部分栅墙上的绝缘层去除后再进行同步外延，最终在此基础上产生芯片的各极，形成一种特殊结构的静电感应器件。

公开(公告)号：CN1278657A

公开(公告)日：2001-01-03

申请号：CN99108811.5

申请日：1999-06-18

Applicant: 兰州大学

Inventor： 李思渊 ,  何山虎 ,  刘瑞喜 ,  孟雄晖 ,  刘肃 ,  杨建红 ,  姜岩峰 ,  孙志军 ,  王林 ,  马中华 ,  曹磊 ,  马淑萍 ,  芦小莹 ,  任立 ,  杨利成 ,  毕祥林 ,  黄仕琴 ,  薛传明 ,  张明兰 ,  梁元涛

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/00

Abstract: 本发明公开一种静电感应器件及其制造方法,特别是一种用于电力静电感应器件及其制造方法。本发明是用高阻单晶的衬底材料表面上形成绝缘层,再在绝缘层上刻出第一扩散窗口,以扩散或注入方式形成栅区及栅墙,在所有一次扩散区的表层进行补偿扩散,对衬底正面和背面进行表面杂质浓度控制处理,将栅墙所围成的区域内和部分栅墙上的绝缘层去除后再进行同步外延,最终在此基础上产生芯片的各极,形成一种特殊结构的静电感应器件。

公开(公告)号：CN1121069C

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN97115773.1

申请日：1997-09-11

Applicant: 兰州大学

Inventor： 李思渊 ,  何山虎 ,  李寿嵩 ,  唐金科 ,  张秀文 ,  张旗 ,  刘肃 ,  毕祥林 ,  卢小莹 ,  田仁杰

IPC: H01L29/772

Abstract: 本发明公开一种静电感应器件及其制造方法。本发明的器件是在基片的高阻区内所形成的栅条及栅墙之上形成绝缘层，在栅条间的沟道区之上形成源区，且所述的源区被位于栅条上的绝缘层隔开。本发明的方法是在单晶基片上以外延方法形成高阻层，再在所述的高阻层中以注入或扩散杂质形成栅区，再通过氧化和沉积方法形成单晶-介质相间的二元衬底表面，然后在其上用外延形成第二高阻层，即在形成栅区后再在栅墙、栅条及沟道表面以外延方法同步生成二元外延层，其中在栅墙和栅条上方形成多晶层或非晶层，在沟道上方形成单晶层，然后再在单晶层中以注入或扩散方式形成源区，最后再开出引线孔并制做电极、封装制成器件。

公开(公告)号：CN1190266A

公开(公告)日：1998-08-12

申请号：CN97115774.X

申请日：1997-09-11

Applicant: 兰州大学

Inventor： 李思渊 ,  杨建红 ,  何山虎 ,  刘肃 ,  刘瑞喜 ,  桑保生 ,  毕祥林 ,  卓肇龙 ,  马淑萍 ,  卢小莹 ,  马中华 ,  杨利成 ,  任立

IPC: H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种固体器件,特别是双极型静电感应器件的制造方法和用这种方法制造的晶体管,以及一种新结构的双极型静电感应器件。本发明的目的通过下述方式实现:首先在衬底材料表面形成绝缘层,然后在绝缘层上刻出第一扩散的窗口,用扩散或注入的方式形成栅区及栅墙,再将部分栅墙上的绝缘层和由栅墙所围成的区域内(即沟道和栅条相间构成的有源区)的绝缘层去除,形成第二扩散窗口,进行第二次扩散,使经第一次扩散所产生的栅区和部分栅墙处的上部分杂质与第二次扩散所掺入的杂质相互补偿,形成具有表面栅和隐埋栅型双重结构特点的复合结构。