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公开(公告)号：CN119192375A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411360800.4
申请日：2024-09-27
Applicant: 兰州大学第二医院
IPC: C07K16/28 , C12N15/13 , G01N33/68 , G01N33/577 , G01N33/76 , A61K39/395 , A61P5/14 , A61P37/00 , A61P29/00
Abstract: 本发明涉及生物技术领域，具体涉及一种抗促甲状腺激素受体单克隆抗体22B1及应用。本发明公开了一种抗促甲状腺激素受体单克隆抗体22B1，所述单克隆抗体22B1的序列包含SEQ ID NO.8所示重链可变区和SEQ ID NO.17所示的轻链可变区；所述单克隆抗体22B1能够与TSHR289蛋白具有高亲和力、能够结合天然野生型TSHR、具有甲状腺刺激性活性、能竞争抑制GD患者血清中TRAb与TSHR的结合等，具有较强的生物学活性，可用于抗刺激性TRAb的特异性治疗药物的制备或开发体外诊断试剂盒，为临床上TRAb类型的检测提供了理论依据和有力工具，且可用于开发针对刺激性TRAb抗体的特异性治疗药物。
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公开(公告)号：CN118994398A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411360803.8
申请日：2024-09-27
Applicant: 兰州大学第二医院
IPC: C07K16/28 , C12N15/13 , G01N33/68 , G01N33/577 , G01N33/76 , A61K39/395 , A61P5/14 , A61P37/00 , A61P29/00
Abstract: 本发明涉及生物技术领域，具体涉及一种抗促甲状腺激素受体单克隆抗体7C3及应用。本发明公开了一种抗促甲状腺激素受体单克隆抗体7C3，所述单克隆抗体7C3的序列包含SEQ ID NO.8所示重链可变区和SEQ ID NO.17所示的轻链可变区；所述单克隆抗体7C3能够结合天然野生型TSHR、具有甲状腺刺激性活性、能竞争抑制GD患者血清中TRAb与TSH R的结合等，可用于抗刺激性TRAb的特异性治疗药物的制备或开发体外诊断试剂盒，为临床上TRAb类型的检测提供了理论依据和有力工具，且可用于开发针对刺激性TRAb抗体的特异性治疗药物。
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公开(公告)号：CN117286175B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311276125.2
申请日：2023-09-29
Applicant: 兰州大学
IPC: C12N15/82 , C07K14/415 , C12N15/29 , A01H5/02 , A01H6/20
Abstract: 本发明属于基因工程领域，具体涉及微丝解聚因子AtADF7蛋白在制备耐高温植物中的应用。将所述的蛋白编码序列在大肠杆菌中表达并纯化，在体外60℃条件下处理45min和95℃条件下处理20min后，大部分蛋白依然未变性；在体内，该蛋白还可以促进高温胁迫下拟南芥花粉萌发率，在微丝解聚因子AtADF7基因的T‑DNA插入突变体中回补微丝解聚因子AtADF7全长基因可以补偿其花粉萌发不耐高温表型，而表达微丝解聚因子AtADF7耐热位点突变的基因AtADF7m不能补偿其花粉萌发不耐高温表型；为培育花期耐高温植物品种提供重要基因资源，具有重要的理论和实践意义，可以推广应用。
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公开(公告)号：CN117286175A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311276125.2
申请日：2023-09-29
Applicant: 兰州大学
IPC: C12N15/82 , C07K14/415 , C12N15/29 , A01H5/02 , A01H6/20
Abstract: 本发明属于基因工程领域，具体涉及微丝解聚因子AtADF7蛋白在制备耐高温植物中的应用。将所述的蛋白编码序列在大肠杆菌中表达并纯化，在体外60℃条件下处理45min和95℃条件下处理20min后，大部分蛋白依然未变性；在体内，该蛋白还可以促进高温胁迫下拟南芥花粉萌发率，在微丝解聚因子AtADF7基因的T‑DNA插入突变体中回补微丝解聚因子AtADF7全长基因可以补偿其花粉萌发不耐高温表型，而表达微丝解聚因子AtADF7耐热位点突变的基因AtADF7m不能补偿其花粉萌发不耐高温表型；为培育花期耐高温植物品种提供重要基因资源，具有重要的理论和实践意义，可以推广应用。
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公开(公告)号：CN116130194A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310142994.X
申请日：2023-02-21
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明是一种提高截止工作频率的部分氮化金属软磁制备方法，（1）材料准备：选择粒径为1‑10μm的铁粉；（2）氮化：将铁粉置于管式炉中抽真空后通入NH3和Ar的混合气体，以10℃/min的速度升温至360‑475℃，保温0‑6h，随炉降至室温即可获得部分氮化铁粉；（3）绝缘包覆：将环氧树脂溶于丙酮，将氮化铁粉加入溶液并搅拌，使丙酮蒸发，环氧树脂析出并均匀包覆至铁粉表面形成绝缘层，其中环氧树脂体积分数约为5‑25%；（4）压制：在0.9‑1.8 GPa的压力下压制成内径7mm、外径13mm的磁环。本方法的氮化铁粉不仅保持了较高的磁导率，而且相较于传统的Fe、Fe4N核壳结构，有效抑制了颗粒内涡流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109516804B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910019699.9
申请日：2019-01-09
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L41/09 , C04B35/49 , C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种拓宽高性能工作温度区间的无铅压电陶瓷的制备方法，其工艺为：将钛酸钙钡BCT凝胶在100‑400℃下预处理得到预烧BCT粉体，再将BCT粉体与锆钛酸钡BZT凝胶混合煅烧得到陶瓷前驱物粉体，陶瓷前驱物粉体与聚乙烯醇溶液混合后造粒、压片、排胶、烧结制得无铅压电陶瓷BZT‑BCT。本发利明用溶胶凝胶法制备锆钛酸钡(BZT)和钛酸钙钡(BCT)凝胶，将BCT凝胶进行预烧处理与BZT凝胶混合，通过控制预烧BCT凝胶的温度调整BCT颗粒的大小和紧密程度，利用BZT和BCT的融合过程在BZT‑BCT陶瓷材料中获得一个成分分布。样品成分区间的两个边界对应的相转变温度分别为T1和T2，对应的样品的相转变温度则为从T1到T2的一个温度区间，使相界诱导的高性能的工作温度区间被拓宽。
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公开(公告)号：CN110540427A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910744971.X
申请日：2019-08-13
Applicant: 兰州大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/624 , C04B35/634 , C04B41/88
Abstract: 本发明提供了一种提高无铅压电陶瓷高性能热稳定性的制备方法，其工艺为：用溶胶凝胶法制备(1-x)BZT-xBCT(x=0.1-0.9)的不同成分的凝胶，将凝胶在600-1000℃下煅烧得到不同成分的(1-x)BZT-xBCT前驱物粉体，将不同成分的前驱物粉体按0.5BZT-0.5BCT的化学计量计算摩尔比后均匀混合，与聚乙烯醇溶液混合后造粒、压片、排胶、在1250度烧结0-4小时制得x=0.5的无铅压电陶瓷0.5BZT-0.5BCT。本发明通过控制R相和T相的融合，使陶瓷成分在x=0.5附近形成成分区间，以形成对应室温附近宽温度范围的准同型相界，从而提高陶瓷的热稳定性。
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公开(公告)号：CN106905432B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201510957366.2
申请日：2015-12-18
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明属于基因工程制药领域，具体涉及一种α促黑素细胞激素的融合蛋白。所述融合蛋白包含1个蛋白转导结构域(Protein transduction domian，PTD)，1个人血清白蛋白(Albumin Human，HSA)和一个α促黑素细胞激素(α‑Melanocyte stimulating hormone，α‑MSH)，并在α‑MSH与HSA之间加入具有柔韧性的连接肽，保证了该融合蛋白在宿主体内高水平稳定表达，在保留α‑MSH生物活性的同时，能够有效跨过血脑屏障，提高药效，同时具有延长半衰期的功效。本发明同时提供该融合蛋白的制备方法及其在抑制或治疗中枢神经系统炎症中的应用。
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公开(公告)号：CN110670041B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201911158839.7
申请日：2019-11-22
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明提供了一种无热处理的磁控溅射制备钙钛矿铁电薄膜的方法，其工艺为：用溶胶凝胶法制备BZT‑BCT的凝胶，将凝胶在600‑800℃下煅烧得到前驱物粉体，将前驱物粉体与聚乙烯醇溶液混合后造粒、压靶、排胶、在800‑1000℃烧结6小时制得磁控溅射所需靶材。本发明通过单靶磁控溅射的方法在不加热的Si基底上生长了结晶性非常好的复合钙钛矿铁电多晶薄膜，为铁电薄膜的生长提供了一种工艺简单，低能耗，生长条件宽泛的生长方法。
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公开(公告)号：CN110670041A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911158839.7
申请日：2019-11-22
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明提供了一种无热处理的磁控溅射制备钙钛矿铁电薄膜的方法，其工艺为：用溶胶凝胶法制备BZT-BCT的凝胶，将凝胶在600-800℃下煅烧得到前驱物粉体，将前驱物粉体与聚乙烯醇溶液混合后造粒、压靶、排胶、在800-1000℃烧结6小时制得磁控溅射所需靶材。本发明通过单靶磁控溅射的方法在不加热的Si基底上生长了结晶性非常好的复合钙钛矿铁电多晶薄膜，为铁电薄膜的生长提供了一种工艺简单，低能耗，生长条件宽泛的生长方法。
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