一种单片磁导计、单片试样测量装置及测量方法

    公开(公告)号:CN108226826A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201711310589.5

    申请日:2017-12-11

    IPC分类号: G01R33/12 G01R33/02

    摘要: 本发明提供了一种单片磁导计、单片试样测量装置及测量方法,该单片磁导计包括:U型双磁轭、框架、初级绕组、H线圈对、次级绕组,其中,框架位于U型双磁轭之间;初级绕组分布于框架上;待测试样设置于框架中,H线圈对位于待测试样下方;次级绕组位于初级绕组内部,次级绕组包括分别绕制的三个子绕组:左侧绕组、中间绕组、右侧绕组,左侧绕组、中间绕组和右侧绕组分别设有输入端口和输出端口,通过接入不同子绕组的输入端口及输出端口,选择接入左侧绕组、中间绕组、右侧绕组中的一个或多个。通过实施本发明,提高了待测试样磁场强度测量的准确性;可以测量待测试样不同区域的磁性能参数,提高了适应性,操作简单方便。

    一种单片磁导计、单片试样测量装置及测量方法

    公开(公告)号:CN108226826B

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201711310589.5

    申请日:2017-12-11

    IPC分类号: G01R33/12 G01R33/02

    摘要: 本发明提供了一种单片磁导计、单片试样测量装置及测量方法,该单片磁导计包括:U型双磁轭、框架、初级绕组、H线圈对、次级绕组,其中,框架位于U型双磁轭之间;初级绕组分布于框架上;待测试样设置于框架中,H线圈对位于待测试样下方;次级绕组位于初级绕组内部,次级绕组包括分别绕制的三个子绕组:左侧绕组、中间绕组、右侧绕组,左侧绕组、中间绕组和右侧绕组分别设有输入端口和输出端口,通过接入不同子绕组的输入端口及输出端口,选择接入左侧绕组、中间绕组、右侧绕组中的一个或多个。通过实施本发明,提高了待测试样磁场强度测量的准确性;可以测量待测试样不同区域的磁性能参数,提高了适应性,操作简单方便。

    一种变压器铁芯损耗分布的测量系统及方法

    公开(公告)号:CN108918978A

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201810455880.X

    申请日:2018-05-14

    IPC分类号: G01R27/26

    摘要: 本发明提供一种变压器铁芯损耗分布的测量系统及测量方法,该系统包括:处理器,分别与数据采集装置和定位装置连接,用于控制数据采集装置输出预设频率的交流电压信号,将该信号作为励磁信号传输至待测变压器铁芯上的励磁绕组,并控制定位装置按照用户输入的控制指令进行移动;磁场传感器设置于定位装置上,用于测量待测变压器铁芯根据励磁信号在各待测位置产生的磁场传感信号,并将磁场传感信号通过数据采集装置发送至处理器来分别计算各待测位置的比总损耗,处理器根据各待测位置比总损耗生成待测变压器铁芯损耗分布测量结果。通过实施本发明,能够实现基于实际测量得到的信号数据分析得到变压器铁芯损耗分布,提高了分析结果的准确性和有效性。

    一种超薄硅钢带材及其制备方法

    公开(公告)号:CN110241297A

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201910477242.2

    申请日:2019-06-03

    摘要: 本发明提供一种超薄硅钢带材及其制备方法,制备方法包括:冷轧:将无底层的取向硅钢带材在200-350℃的温度下冷轧得到冷轧带材;退火:将所述冷轧带材进行升温、保温和降温处理,得到所述超薄硅钢带材,其中,升温过程中的升温速率为300-450℃/h。通过轧制温度和升温速率相互配合,带温轧制可提前释放部分形变储存能,防止带材在轧制过程中开裂,减少后续退火步骤中单位面积内的形核点,增大晶粒尺寸,降低带材磁滞损耗,同时也可提高后续退火升温速度,减少退火时间,缩短制备工艺,最终获得强的Goss织构以及晶粒尺寸合适、均匀的微观组织,提高超薄取向硅钢的磁性能,使制得的超薄硅钢带材磁感应强度B800≥1.90T,同时铁芯损耗P1.5/400Hz低至8W/kg。