一种高压大容量环型空心电抗器支撑结构

    公开(公告)号:CN114464429B

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202210179536.9

    申请日:2022-02-25

    Abstract: 本发明涉及一种高压大容量环型空心电抗器支撑结构。包括若干支撑板、底板、若干绝缘支柱、底座、环形梳状板以及支撑环;多个线饼绕制在水平设置的所述梳状板上,所述多个线饼组成线圈;所述支撑板竖直设置并与所述梳状板连接,用于承担所述梳状板以及其上线饼的重力;所述支撑板固定在水平设置的所述底板上;所述支撑环位于所述线圈的内侧;所述底板和所述支撑环下方固定连接有所述绝缘支柱;所述绝缘支柱固定在所述底座上。本发明提出的环型空心电抗器的线圈能够整体绕制,能够防止线圈发生过大的变形,且散热面积较大,满足高压大容量的应用要求。

    压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法

    公开(公告)号:CN114545184A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210159329.7

    申请日:2022-02-22

    Abstract: 本发明涉及一种压接型IGBT器件芯片电流分时测量系统及测量方法,属于压接型IGBT器件领域,罗氏线圈阵列板获取压接型IGBT器件内部各芯片的电流微分信号,模拟多路复用器在主控机的控制下接收被测芯片的电流微分信号,通过积分器还原为被测芯片的电流比例信号,模数转换器将被测芯片的电流比例信号转换为被测芯片的数字电流比例信号,从而主控机获得被测芯片的电流数据。本发明只需要1个积分器和1个模数转换器即可实现多芯片电流的测量,减少硬件资源占用,降低系统复杂度。且本发明充分利用电流周期性和电流波形跨周期基本不变的特性,实现了多芯片电流的跨周期分时测量,同时在电流稳态阶段将模数转换器休眠,降低了系统运行成本。

    一种提取级联型隔离变压器寄生电容的方法

    公开(公告)号:CN108828318A

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:CN201810160014.8

    申请日:2018-02-26

    Abstract: 本发明属于高频变压器建模技术领域,尤其涉及一种提取级联型隔离变压器寄生电容的方法,包括:基于隔离变压器低频磁效应与高频电容效应来构建单个隔离变压器等效电路模型;将n个隔离变压器级联的模型等效为链式电路计算级联隔离变压器端口阻抗函数;根据零极点分析构建级联隔离变压器端口阻抗谐振频率与电路参数的关系式;用阻抗分析仪测试得到级联隔离变压器的端口开路阻抗谐振频率、级联隔离变压器在低频时输出端开路和短路的情况下的输入端阻抗,并分别计算励磁电感和漏磁电感,并计算隔离变压器的寄生电容。本发明无需内部结构数据即可方便有效地提取出变压器内部的寄生电容,有助于研究级联变压器二端口网络的宽频特性和寄生参数效应。

    一种功率器件均流特性评估实验装置

    公开(公告)号:CN113030608B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202110207863.6

    申请日:2021-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种功率器件均流特性评估实验装置,所述实验装置包括:PCB板和功率器件测试电路;PCB板上设置有对称分布的偶数个功率器件插座;功率器件测试电路的功率电路的多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使功率电路可在PCB板上进行对称布局和非对称布局;本发明通过设置对称分布的偶数个功率器件插座,使多个被测功率器件可选择的插在偶数个所述功率器件插座中的多个功率器件插座上,使所述功率电路可在所述PCB板上进行对称布局和非对称布局,进而实现电路排布不对称对于功率器件均流特性影响的研究和在实际工作中不同功率器件的参数的一致性的对比测试。

    用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法

    公开(公告)号:CN112946451B

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110202180.1

    申请日:2021-02-23

    Abstract: 本发明公开了一种用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法。该装置包括:驱动脉冲生成器、两个试验电路、两个供能电路,每个试验电路中都有IGBT器件,两个电容的电压绝对值达到MMC中IGBT器件的工作电压后,通过电感和电容的谐振作用,使IGBT器件的通态电流符合MMC工况应力特点,在IGBT完成一个试验周期后,电容的极性发生改变,在IGBT关断后,只需给电容补充损耗的电压即可快速达到IGBT器件的工作电压,满足IGBT进行下一试验周期的需求。采用本发明的试验装置、系统及方法,能够对IGBT器件进行可靠性评估,避免因IGBT的可靠性不高导致MMC无法正常工作的问题。

    一种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法

    公开(公告)号:CN113009308A

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN202110202189.2

    申请日:2021-02-23

    Abstract: 本发明公开了一种种MMC用功率半导体器件可靠性试验装置及方法,所述装置包括:高压电容、放电电容、电感、被测功率半导体器件、续流二极管、辅助IGBT开关、预关断续流回路二极管、高压直流电源、驱动脉冲生成器、电流测量单元、电压测量单元、温度测量单元;所述装置的电路拓扑可以实现MMC用功率半导体器件的应力特点等效,填补了现有器件级可靠性试验装置模拟MMC换流器应力方面的空白。所述方法通过简单时序控制辅助IGBT开关的通断,即可在不影响被测功率半导体器件工况的情况下实现不同电容的投切,保证装置长时间稳定运行,控制过程简单,装置可靠性高。

    一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法

    公开(公告)号:CN110232234A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201910481319.3

    申请日:2019-06-04

    Abstract: 本发明公开一种PEET振荡调节器件及IGBT子模块的制作方法,所述PEET振荡调节器件为绕有线圈的坡莫合金环;所述坡莫合金环为环状结构;所述线圈的第一接线端连接直流电源的第一接线端,所述线圈的第二接线端连接直流电源的第二接线端;将所述坡莫合金环套在具有产生PETT振荡功能的IGBT器件的金属电极上,通过调节所述线圈内直流电流的大小来调节所述IGBT器件产生的PETT振荡的参数。本发明可以对IGBT器件产生的PETT振荡进行调控,并放置于工业界的IGBT模块中,作为监测模块的辅助装置,在监测时调节线圈电流,以应用于后续对IGBT模块的状态监测过程。

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